[發明專利]用于單粒子瞬變(SET)加固的差分壓控振蕩器(VCO)電路結構

無效

• 申請號: 200910043637.8
• 申請日: 2009-06-09
• 公開（公告）號: CN101572546A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 趙振宇;郭斌;李少青;張民選;馬卓;陳吉華;陳怒興;郭陽;李俊豐;肖海鵬;唐李紅;石大勇
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科學技術大學
• 主分類號: H03L7/099
• 分類號: H03L7/099;H03L1/00;H03K5/13;H03B5/04
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1、一種用于單粒子瞬變(SET)加固的差分壓控振蕩器(VCO)結構，由N個差分延遲單元級聯而成，環路特征在于：第一個差分延遲單元的差分輸入(IN+)和(IN-)分別接第N個差分延遲單元的差分輸出(OUT-)和(OUT+)，第二個至第N個延遲單元的差分輸入(IN+)和(IN-)分別接前一個延遲單元的差分輸出(OUT+)和(OUT-)，控制電壓(Vcont)接入每個差分延遲單元的(Vcont)端口，所有延遲單元的電流源管(M7)的漏極(Vp)短接在一起，從而組成環形差分VCO結構。

2、根據權利要求1用于形成SET加固壓控振蕩器(VCO)的差分延遲單元，其特征在于：它包括第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M7)、第一PMOS管(M3)、第二PMOS管(M4)、第三PMOS管(M5)、第四PMOS管(M6)，其中第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)組成差分對管，其柵極分別接差分輸入(IN+)和(IN-)，漏極分別接差分輸出節點(OUT-)和(OUT+)，第三個NMOS管(M7)為尾電流源，其柵極接(Vb)，主要是保證電流源電流在(M1)和(M2)之間周期性的分配，用于控制差分延遲的第一PMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)接在差分輸出節點(OUT-)、(OUT+)和電源電壓VDD之間，柵極都接控制電壓，交叉耦合的第三PMOS管(M5)和第四PMOS管(M6)漏極分別接差分輸出(OUT-)和(OUT+)，柵極分別接差分輸出(OUT+)和(OUT-)，第一PMOS管(M3)和第三PMOS管(M5)并聯組成延遲單元的復合負載，第二PMOS管(M4)和第四PMOS管(M6)并聯組成復合負載。