[發明專利]一種含鎂釹鈷鎳錳的高熵納米磁性材料的制備方法無效
| 申請號： | 200910039225.7 | 申請日： | 2009-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN101560671A | 公開（公告）日： | 2009-10-21 |
| 發明（設計）人： | 童葉翔;張鵬;劉萌;葉劍清;李高仁;劉鵬 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | C25C1/24 | 分類號： | C25C1/24;H01F1/053 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利代理有限公司 | 代理人： | 陳 衛 |
| 地址： | 510275廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 含鎂 釹鈷鎳錳 納米 磁性材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種含鎂釹鈷鎳錳的高熵納米磁性材料的制備方法，其特征在于包含以下步驟：
(1)配制含鎂離子、釹離子、鈷離子、鎳離子和錳離子的有機體系溶液；
(2)加入支持電解質，以銅基體或鈦基體作為工作電極，外加電場進行電沉積即得。
2、根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(1)中，所述鎂離子或釹離子的摩爾濃度控制在0.01mol/L至0.1mol/L之間。
3、根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于步驟(1)中，除鎂離子和釹離子外，其他任意金屬離子的摩爾濃度控制在0.002mol/L至0.05mol/L之間。
4、根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(2)中，所述支持電解質為惰性電解質。
5、根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(2)中，所述外加電場是以Ag/AgCl電極為參比電極，電沉積的電位介于-2.2V至-2.7V之間。
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