[發明專利]一種背面點接觸晶體硅太陽電池的制備工藝

有效

• 申請號: 200910039166.3
• 申請日: 2009-04-30
• 公開（公告）號: CN101540350A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 沈輝;陳達明;梁宗存
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司
• 代理人: 李海波

1.一種背面點接觸晶體硅太陽電池的制備工藝，其特征在于，在硅片背面熱氧化二氧化硅和鍍氮化硅形成復合鈍化膜，并在該復合鈍化膜上采用硅漿料絲網印刷具有點接觸圖案的硅漿層，然后采用化學腐蝕液腐蝕掉復合鈍化膜中未被硅漿層覆蓋的區域，所述化學腐蝕液為氫氟酸水溶液，腐蝕時間為1～15min，再在硅片背面絲網印刷鋁漿層，通過燒結使鋁漿層與硅漿層的接觸面形成硅鋁合金層，最后通過燒結使鋁漿層與硅片背面的硅基底形成局域歐姆接觸和局域鋁背場。

2.根據權利要求1所述的背面點接觸晶體硅太陽電池的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在硅片的前表面上經擴散形成N型層；

(2)在硅片的兩面通過熱氧化形成二氧化硅層；

(3)在硅片背面再鍍上一層氮化硅，形成二氧化硅和氮化硅復合鈍化膜；

(4)在該復合鈍化膜上采用硅漿料絲網印刷具有點接觸圖案的硅漿層；

(5)采用化學腐蝕液腐蝕掉復合鈍化膜中未被硅漿層覆蓋的區域，同時腐蝕掉硅片前表面上的二氧化硅層，所述的化學腐蝕液為氫氟酸水溶液，腐蝕時間為1～15min；

(6)在硅片的前表面鍍上氮化硅減反射膜；

(7)在硅片背面絲網印刷鋁漿層，通過燒結使鋁漿層與硅漿層的接觸面形成硅鋁合金層，并通過燒結使鋁漿層與硅片背面的硅基底形成局域歐姆接觸和局域鋁背場；

(8)在硅片前表面的氮化硅減反射膜表面絲網印刷銀柵線電極。

3.根據權利要求1或2所述的背面點接觸晶體硅太陽電池的制備工藝，其特征在于，所述的硅片為P型單晶硅片或P型多晶硅片，硅片的電阻率為0.5～10Ω·cm，厚度為100～250μm。

4.根據權利要求1或2所述的背面點接觸晶體硅太陽電池的制備工藝，其特征在于，在二氧化硅和氮化硅復合鈍化膜中，二氧化硅的厚度為5～30nm，氮化硅的厚度為65～200nm。

5.根據權利要求1或2所述的背面點接觸晶體硅太陽電池的制備工藝，其特征在于，絲網印刷用的硅漿料由純度大于99.9％的硅粉制備而成，所述硅粉的粒徑小于10μm。

6.根據權利要求1或2所述的背面點接觸晶體硅太陽電池的制備工藝，其特征在于，所述具有點接觸圖案的硅漿層的厚度為5～30μm。

7.根據權利要求1或2所述的背面點接觸晶體硅太陽電池的制備工藝，其特征在于，所述的點接觸圖案為圓形孔或規則多邊形孔的陣列，背面接觸孔面積占背面總面積的比例為0.1～30％。

8.根據權利要求1或2所述的背面點接觸晶體硅太陽電池的制備工藝，其特征在于，所述的硅鋁合金層的厚度為2～10μm。

9.根據權利要求2所述的背面點接觸晶體硅太陽電池的制備工藝，其特征在于，步驟(1)中在硅片的兩表面上經擴散形成N型層，再用常規酸液或堿液去除掉背面的N型層，硅片前表面形成的N型層的方塊電阻為40～60Ω/□。