[發明專利]多晶硅鑄錠設備的漏硅檢測結構無效

申請號：	200910032629.3	申請日：	2009-06-30
公開（公告）號：	CN101586914A	公開（公告）日：	2009-11-25
發明（設計）人：	施海明;陸景剛;張錦根;鄂林	申請（專利權）人：	鎮江環太硅科技有限公司
主分類號：	F27B14/20	分類號：	F27B14/20;C01B33/021
代理公司：	鎮江京科專利商標代理有限公司	代理人：	夏哲華
地址：	212216江***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	多晶鑄錠設備檢測結構
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【權利要求書】：

1、一種多晶硅鑄錠設備的漏硅檢測結構，其特征是：它包括有坩堝(1)、位于坩堝外側的護板(2)、位于坩堝下方并與護板下端連接的石墨底板(3)、位于石墨底板下方的塞條組合(4)、位于塞條組合下方的底板組合(5)、位于底板組合下方的隔熱板(6)及位于隔熱板下方的檢測絲(7)，其特征是：所述石墨底板(3)、塞條組合(4)及底板組合(5)的邊緣設置有上、下貫通的溢流孔(8)。

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