[發(fā)明專利]多晶硅鑄錠設(shè)備的漏硅檢測(cè)結(jié)構(gòu)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910032629.3 | 申請(qǐng)日: | 2009-06-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101586914A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-11-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 施海明;陸景剛;張錦根;鄂林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鎮(zhèn)江環(huán)太硅科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | F27B14/20 | 分類號(hào): | F27B14/20;C01B33/021 |
| 代理公司: | 鎮(zhèn)江京科專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 夏哲華 |
| 地址: | 212216江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多晶 鑄錠 設(shè)備 檢測(cè) 結(jié)構(gòu) | ||
1、一種多晶硅鑄錠設(shè)備的漏硅檢測(cè)結(jié)構(gòu),其特征是:它包括有坩堝(1)、位于坩堝外側(cè)的護(hù)板(2)、位于坩堝下方并與護(hù)板下端連接的石墨底板(3)、位于石墨底板下方的塞條組合(4)、位于塞條組合下方的底板組合(5)、位于底板組合下方的隔熱板(6)及位于隔熱板下方的檢測(cè)絲(7),其特征是:所述石墨底板(3)、塞條組合(4)及底板組合(5)的邊緣設(shè)置有上、下貫通的溢流孔(8)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于鎮(zhèn)江環(huán)太硅科技有限公司,未經(jīng)鎮(zhèn)江環(huán)太硅科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910032629.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
- 檢測(cè)方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法以及記錄介質(zhì)
- 檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)組件、檢測(cè)裝置以及檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法及檢測(cè)程序
- 檢測(cè)電路、檢測(cè)裝置及檢測(cè)系統(tǒng)





