[發明專利]多晶硅鑄錠設備的漏硅檢測結構

無效

• 申請號: 200910032629.3
• 申請日: 2009-06-30
• 公開（公告）號: CN101586914A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 施海明;陸景剛;張錦根;鄂林
• 申請（專利權）人: 鎮江環太硅科技有限公司
• 主分類號: F27B14/20
• 分類號: F27B14/20;C01B33/021
• 代理公司: 鎮江京科專利商標代理有限公司
• 代理人: 夏哲華

技術領域

本發明涉及多晶硅的生產設備，具體是一種多晶硅鑄錠設備的漏硅檢測結構。

背景技術

多晶鑄錠設備的中用來加熱熔融硅原料的設備通常如附圖1所示，包括有：坩堝1、位于坩堝外側的護板2、位于坩堝下方并與護板下端連接的石墨底板3、位于石墨底板下方的塞條組合4、位于塞條組合下方的底板組合5、位于底板組合下方的隔熱板6及位于隔熱板下方的檢測絲7。其工作過程中，如果發生漏硅，坩堝1中的硅液經過護板2和石墨底板3的間隙流出，沿塞條組合4和底板組合5的邊緣往下淌，后經過隔熱板6的溢流孔，最后掉落到漏硅檢測絲7上，檢測絲探測到漏硅后，由PLC發出報警信號，報警器報警提示操作工處理。從上面可以看出，如果發生漏硅，硅液首先會在坩堝護板2和坩堝1的間隙間積聚，即使有少量硅液從石墨底板3和護板2間的間隙溢出，也會被塞條組合4和底板組合5吸收，不能被檢測系統第一時間檢測到，因而會延誤處理，造成設備較大的損失。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種能夠及時檢測到設備漏硅、減少設備損失的多晶硅鑄錠設備的漏硅檢測結構。

本發明的多晶硅鑄錠設備的漏硅檢測結構包括有坩堝、位于坩堝外側的護板、位于坩堝下方并與護板下端連接的石墨底板、位于石墨底板下方的塞條組合、位于塞條組合下方的底板組合、位于底板組合下方的隔熱板及位于隔熱板下方的檢測絲，其特征是：所述石墨底板、塞條組合及底板組合的邊緣設置有上下貫通的溢流孔。

本發明在傳統設備的結構基礎上，在石墨底板，塞條組合和底板組合上增加了溢流孔。如果發生漏硅可以在第一時間溢流到隔熱板及檢測絲上而被檢測到，使工作人員能第一時間采取措施，避免更大的損失。

附圖說明

圖1是本發明結構所應用的多晶硅鑄錠設備的部件結構示意圖；

圖2是本發明結構中的石墨底板的結構示意圖；

圖3是本發明結構中的塞條組合的結構示意圖；

圖4是本發明結構中的底板組合的結構示意圖。

具體實施方式

如圖所示，該多晶硅鑄錠設備的漏硅檢測結構包括有坩堝1、位于坩堝外側的護板2、位于坩堝下方并與護板下端連接的石墨底板3、位于石墨底板下方的塞條組合4、位于塞條組合下方的底板組合5、位于底板組合下方的隔熱板6及位于隔熱板下方的檢測絲7，石墨底板3、塞條組合4及底板組合5的邊緣設置有上下貫通的溢流孔8，該結構在工作過程中，當坩堝內的硅液發生泄漏時，硅液可以從溢流孔8迅速滴出而被檢測絲檢測到，以便采取相應措施，防止更大損失。