[發(fā)明專利]基于真空凍干技術(shù)在硅片表面絲網(wǎng)印刷精細掩膜的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910032458.4
• 申請日: 2009-07-08
• 公開（公告）號: CN101593793A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發(fā)明（設計）人: 宮昌萌;倪志春;趙建華;王艾華
• 申請（專利權(quán)）人: 中電電氣（南京）光伏有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 南京知識律師事務所
• 代理人: 程化銘

1.基于真空凍干技術(shù)在硅片表面絲網(wǎng)印刷精細掩膜的方法，其工藝步驟如下：

步驟1、清洗硅片表面的有機物，清洗液選H₂SO₄和H₂O₂混合溶液；再用去離子水清洗硅片，然后烘干，增加硅片表面的黏附性，烘干溫度為：60℃～100℃；

步驟2、用絲網(wǎng)印刷的方法將液態(tài)材料印刷在硅片表面上，形成掩膜圖形，掩膜的膜厚為20～70μm；

步驟3、將印刷好的硅片立即放入真空凍干設備中，溫度調(diào)至-10℃～-30℃范圍，壓強為1.3Pa～30Pa，真空凍干的時間為10min～30min。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于真空凍干技術(shù)在硅片表面絲網(wǎng)印刷精細掩膜的方法，其特征是：步驟1中所述H₂SO₄和H₂O₂混合溶液，H₂SO₄濃度為質(zhì)量百分比90％～98％，H₂O₂濃度為質(zhì)量百分比25％～32％，兩組分體積比為：H₂SO₄溶液∶H₂O₂溶液＝50∶1～80∶1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于真空凍干技術(shù)在硅片表面絲網(wǎng)印刷精細掩膜的方法，其特征是：步驟2中所述液態(tài)材料的粘度為500～1000cps，成份為高分子聚合物粉體和溶劑，高分子聚合物粉體和溶劑的質(zhì)量百分比為：

高分子聚合物粉體????80％～70％；

溶劑????????????????30％～20％。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于真空凍干技術(shù)在硅片表面絲網(wǎng)印刷精細掩膜的方法，其特征是：

所述高分子聚合物粉體為環(huán)氧樹脂、聚胺脂丙烯酸脂、聚酯丙烯酸脂、聚醚丙烯酸脂、環(huán)氧丙烯酸脂中的一種或兩種以上的組合；高分子聚合物粉體顆粒直徑應小于20μm；

所述溶劑為丙酮、乙二醇、丁二醇、新戊二醇、二甘醇、三甘醇、聚乙二醇或二丙烯酸酯。