[發(fā)明專利]晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910029672.4
• 申請日: 2009-04-01
• 公開（公告）號: CN101533870A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 焦云峰;黃強
• 申請（專利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所
• 代理人: 王凌霄

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種硅光電池的加工工藝，尤其是一種晶體硅太陽電池表面刻槽制備工藝。

背景技術(shù)

通常晶體硅太陽電池表面刻槽的主要用途是用于晶體硅太陽電池表面電極柵線的嵌放，目前國內(nèi)的刻槽方法主要有：1)機械加工：采用金剛石刀具，用三種刀依次刻化成型出槽寬大于10um的槽；2)激光刻槽：用一束激光刻化出線槽后再用化學方法對槽底進行擴寬。但是這兩種方法設(shè)備成本較低，生產(chǎn)效率也不高，并且不適用于晶體硅太陽電池工業(yè)化生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服以上缺陷，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：提出一種生產(chǎn)成本低，生產(chǎn)效率高，并適用太陽電池工業(yè)化生產(chǎn)的晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝。

本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為：一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，包括以下步驟：

1)將硅片清洗制絨后在硅片表面制備一層致密的化學腐蝕掩膜層；

2)采用絲網(wǎng)印刷腐蝕性漿料選擇性的去除電極柵線區(qū)域的化學腐蝕掩膜層；

3)將硅片置于TMAH水溶液中進行腐蝕并在電極柵線區(qū)域形成一定深度的凹槽；

4)擴散制作PN結(jié)后進行氮化硅膜的制備，最后制備電極。

本發(fā)明進一步包括所述的步驟1)中化學腐蝕掩膜層為厚度為80-120nm的熱氧化二氧化硅膜或厚度為60-80nm的氮化硅膜。

本發(fā)明所述的步驟2)中去除電極柵線區(qū)域的掩膜層的步驟為：

a)將腐蝕性漿料按正電極圖形印刷到帶有掩膜層的硅片上；

b)待腐蝕性漿料對掩膜層選擇性腐蝕后清洗去除剩余的腐蝕漿料。

本發(fā)明所述的步驟2)中腐蝕性漿料為含15-20％氟化氫氨的刻蝕膏。

本發(fā)明所述的步驟3)中TMAH水溶液的腐蝕溶度為25％，溫度為70℃，腐蝕時間為10-20min，刻槽深度為5-10um。

本發(fā)明的有益效果是：采用本發(fā)明的制備工藝所制備的刻槽印刷電極，具有較低的電極電阻及接觸電阻，與傳統(tǒng)采用的激光刻槽埋柵電極相比，本發(fā)明的設(shè)備成本低，生產(chǎn)效率高，且適用于晶體硅太陽電池工業(yè)化生產(chǎn)。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。

圖1是本發(fā)明工藝路線圖。

具體實施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例對本發(fā)明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。

如圖1所示，一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，包括以下步驟：

1)將硅片清洗制絨后在硅片表面制備一層致密的化學腐蝕掩膜層；

2)采用絲網(wǎng)印刷腐蝕性漿料選擇性的去除電極柵線區(qū)域的化學腐蝕掩膜層；

3)將硅片置于TMAH水溶液中進行腐蝕并在電極柵線區(qū)域形成一定深度的凹槽；

4)擴散制作PN結(jié)后進行氮化硅膜的制備，最后制備電極。

本發(fā)明所述的步驟1)中化學腐蝕掩膜層為厚度為80-120nm的熱氧化二氧化硅膜或厚度為60-80nm的氮化硅膜。

本發(fā)明所述的步驟2)中去除電極柵線區(qū)域的掩膜層的步驟為：

a)將腐蝕性漿料按正電極圖形印刷到帶有掩膜層的硅片上；

b)待腐蝕性漿料對掩膜層選擇性腐蝕后清洗去除剩余的腐蝕漿料。

其中腐蝕性漿料為含15-20％氟化氫氨的刻蝕膏。

本發(fā)明所述的步驟3)中TMAH水溶液的腐蝕溶度為25％，溫度為70℃，腐蝕時間為10-20min，刻槽深度為5-10um。

以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。