[發明專利]晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝

無效

• 申請號: 200910029672.4
• 申請日: 2009-04-01
• 公開（公告）號: CN101533870A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 焦云峰;黃強
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所
• 代理人: 王凌霄

1、一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，其特征在于包括以下步驟：

1)將硅片清洗制絨后在硅片表面制備一層致密的化學腐蝕掩膜層；

2)采用絲網印刷腐蝕性漿料選擇性的去除電極柵線區域的化學腐蝕掩膜層；

3)將硅片置于TMAH水溶液中進行腐蝕并在電極柵線區域形成一定深度的凹槽。

4)擴散制作PN結后進行氮化硅膜的制備，最后制備電極。

2、如權利要求1所述的一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，其特征在于：所述的步驟1)中化學腐蝕掩膜層為厚度為80-120nm的熱氧化二氧化硅膜或厚度為60-80nm的氮化硅膜。

3、如權利要求1所述的一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，其特征在于：所述的步驟2)中去除電極柵線區域的掩膜層的步驟為：

a)將腐蝕性漿料按正電極圖形印刷到帶有掩膜層的硅片上；

b)待腐蝕性漿料對掩膜層選擇性腐蝕后清洗去除剩余的腐蝕漿料。

4、如權利要求1所述的一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，其特征在于：所述的步驟2)中腐蝕性漿料為含15-20％氟化氫氨的刻蝕膏。

5、如權利要求1所述的一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，其特征在于：所述的步驟3)中TMAH水溶液的腐蝕溶度為25％，溫度為70℃，腐蝕時間為10-20min，刻槽深度為5-10um。