[發(fā)明專利]MgO薄膜電子束蒸發(fā)制備方法及裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910027866.0
• 申請日: 2009-05-18
• 公開（公告）號: CN101565813A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫青云;朱立鋒;王保平;林青園
• 申請（專利權(quán)）人: 南京華顯高科有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/30
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 夏 平

1.一種MgO薄膜電子束蒸發(fā)制備方法，其特征是它包括以下步驟：

a.將基板放置在蒸發(fā)源的正上方，設(shè)置成膜速率調(diào)整裝置(101)調(diào)節(jié)基板與 蒸發(fā)源的距離范圍是30-60cm；

b.調(diào)節(jié)蒸發(fā)源上的蒸發(fā)角度控制裝置(121)使得蒸發(fā)角在50°-130°范圍內(nèi)， 調(diào)整好后，打開真空鍍膜機(jī)排氣；

c.鍍膜機(jī)排氣完畢，真空度達(dá)到1.0×10^-3Pa后，打開電子槍電源(601)使 電子槍(501)發(fā)射電子束對蒸發(fā)源的MgO原料進(jìn)行蒸發(fā)，同時(shí)打開氧氣引 入管道控制氧氣通入的方向?qū)σ颜婵盏氖覂?nèi)通入10-200Sccm的氧氣；

d.MgO原料蒸發(fā)的粒子從蒸發(fā)源發(fā)射出來，當(dāng)蒸發(fā)粒子碰到基板時(shí)，冷卻形 成MgO薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MgO薄膜電子束蒸發(fā)制備方法，其特征是所述的 蒸發(fā)源為裝有MgO原料的坩堝(301)。