[發明專利]N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管無效
| 申請號： | 200910024963.4 | 申請日： | 2009-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN101488526A | 公開（公告）日： | 2009-07-22 |
| 發明（設計）人： | 錢欽松;高懷;吳虹;李海松;孫偉鋒;陸生禮;時龍興 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/316;H01L21/762 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 | 代理人： | 陸志斌 |
| 地址： | 21009*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣體 橫向 擴散 金屬 氧化物 半導體 晶體管 | ||
1、一種N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，包括：半導體襯底(9)，在半導體襯底(9)上面設置有埋氧化層(8)，在埋氧化層(8)上設有N型摻雜半導體區(7)，在N型摻雜半導體區(7)上設有P阱(6)和N型漏區(10)，在P阱(6)上設有N型源區(11)和P型接觸區(13)，在P阱(6)的表面設有柵氧化層(3)且柵氧化層(3)自P阱(6)延伸至N型摻雜半導體區(7)，在P阱(6)表面的N型源區(11)、P型接觸區(13)和柵氧化層(3)的以外區域及N型摻雜半導體區(7)表面的N型漏區(10)以外區域設有場氧化層(1)，在柵氧化層(3)的表面設有多晶硅柵(4)且多晶硅柵(4)延伸至場氧化層(1)的表面，在場氧化層(1)、P型接觸區(13)、N型源區(11)、多晶硅柵(4)及N型漏區(10)的表面設有氧化層(5)，在N型源區(11)、P型接觸區(13)、多晶硅柵(4)和N型漏區(10)上分別連接有金屬層(2)，其特征在于在N型摻雜半導體區(7)內設有第一浮置氧化層(121)且第一浮置氧化層(121)位于N型漏區(10)的下方。
2.根據權利要求1所述的N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于在N型摻雜半導體區(7)內設有第二浮置氧化層(122)且第二浮置氧化層(122)位于第一浮置氧化層(121)的下方。
3.根據權利要求1或2所述的N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于第一浮置氧化層(121)的上表面距離N型漏區(10)的下表面在0.5微米到1微米之間。
4.根據權利要求3所述的N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于第一浮置氧化層(121)厚度在0.2微米到0.5微米之間。
5.根據權利要求3所述的N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于第二浮置氧化層(122)與第一浮置氧化層(121)之間距離不超過0.5微米。
6.根據權利要求3所述的N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于第一浮置氧化層(121)的長度為漏區(10)寬度的1到1.5倍。
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