[發明專利]一種低溫下制備小尺寸氧化銦錫納米線材料的方法

無效

• 申請號: 200910024491.2
• 申請日: 2009-02-24
• 公開（公告）號: CN101509123A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 徐駿;萬能;徐嶺;陳坤基;林濤;陳谷然;甘新慧;郭四華;孫紅程;劉宇
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/30;C30B29/16;C30B29/62;C30B23/00
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司
• 代理人: 何朝旭

1.一種低溫下制備小尺寸氧化銦錫納米線材料的方法，包括以下步驟：

第一步、在電子束蒸發儀腔體中裝入塊狀或片狀的ITO靶材和襯底；所述靶材和襯底之間的距離控制在≤40cm；所述襯底材質為單晶硅、石英或玻璃之一；

第二步、關閉電子束蒸發儀的腔體，將腔體內真空抽至低于5×10^-4Pa，同時烘烤腔體，溫度控制在100-300攝氏度；

第三步、將電子束斑打在ITO靶材表面，使靶材蒸發后在襯底上沉積，襯底溫度保持在100-300攝氏度；將電子束蒸發儀調節到電子束燈絲加熱電壓為110±10V，電流為0.6±0.1mA，電子束的加速電壓6±1KeV，束流25±5mA；

第四步、調節電子束束流，使靶材蒸發后在襯底上的沉積速率為0.2-0.5nm/s；

第五步、待襯底上達到所需沉積厚度時，停止蒸發，冷卻后取出完成制備的襯底。

2.根據權利要求1所述低溫下制備小尺寸氧化銦錫納米線材料的方法，其特征在于：所述第一步中靶材和襯底之間隔有擋板，所述第三步中待靶材表面達到蒸發溫度后移開擋板。

3.根據權利要求2所述低溫下制備小尺寸氧化銦錫納米線材料的方法，其特征在于：所述第二步中，抽真空2小時，控制腔體烘烤溫度達到150攝氏度。

4.根據權利要求3所述低溫下制備小尺寸氧化銦錫納米線材料的方法，其特征在于：所述第三步中襯底溫度控制在150±10攝氏度。

5.根據權利要求4所述低溫下制備小尺寸氧化銦錫納米線材料的方法，其特征在于：所述襯底上的沉積厚度控制在50nm-2μm。