[發明專利]高溫流化床反應用微孔陶瓷氣體分布板的制備方法

無效

• 申請號: 200910023905.X
• 申請日: 2009-09-04
• 公開（公告）號: CN101723702A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 鐵生年;李昀珺;李星
• 申請（專利權）人: 鐵生年
• 主分類號: C04B38/06
• 分類號: C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622;B01J8/44
• 代理公司: 青海省專利服務中心 63100
• 代理人: 陳文福

技術領域

本發明涉及一種陶瓷領域，提供一種高溫流化床反應用微孔陶瓷氣體分布 板的制備方法。

背景技術

氣體分布板是流化床中重要的構件，為了使通過分布板的氣體能夠均勻分 布，穩定流化床的操作，必須要求分布板有一定的阻力。氣體分布板的設計和 制作的好壞直接關系到流化床是否能正常運行。一塊好的氣體分布板要求達到 良好的氣體分布狀態、阻力小、不漏料、不堵塞、結構簡單、制造和檢修方便 等要求。對于有溢流管的多層流化床和流化催化裂化裝置的氣體分布板，除滿 足上述要求外，還要滿足落料量和均勻落料量的要求，對于流化床鍋爐，在分 布板上預留一個或數個大孔以便安裝放渣管，定期排放爐渣，傳統的氣體分布 板花板、裝在花板上的風帽或鋪墊在花板上的填充物組成。簡單的氣體分布板 則是一塊帶有篩孔的鋼板。為了適應高溫生產過程，為避免分布板受熱變形， 在花板上必須鋪有耐火材料，風帽安裝在花板上，在花板上自上而下鋪密封層、 絕熱層和耐火層。傳統氣態分布板主要應用在化學工業催化過程或非催化過程， 煤炭氣化或煤炭燃燒過程中得到應用，現階段，流化床技術應用于生產太陽能 級多晶硅，因多晶硅純度和產率的要求，上述氣體分布板不適合生產太陽能級 多晶硅顆粒，一般采用石英粉制作氣體分布板，氣孔分布不均勻，阻力大，反 應物料分布狀態差，影響多晶硅的產率。

發明內容

本發明的目的在于為了克服上述已有技術的不足之處，而提供一種以無機 陶瓷碳化硅為主料配備一定的輔助原料制作的微孔陶瓷分布板。

本發明的目的是這樣實現的：本發明的一種高溫流化床反應用微孔陶瓷氣 體分布板的制備方法，其特征在于該方法是以無機陶瓷碳化硅為主料配備一定 的輔助原料制作的微孔陶瓷氣體分布板，采用以下的步驟：

a.混合漿料制備

將粒徑為250～350微米的SiC粒子重量百分含量為30～50％，1000目的 SiC粉末重量百分含量為3～5％，Al₂O₃重量百分含量為3.0～5.0％，SiO₂重量百 分含量為1.0～2.0％，CaCO₃重量百分含量為2.0～5.0％和Mg(OH)₂重量百分 含量為2.0-5.0％，馬鈴薯粉重量百分含量為1.0～5.0％和其余量為離子交換水 混合制成漿料，在20-30℃條件下球磨10-24小時；

b.澆注

將上述a步得到的漿料澆注入一端帶鋸齒圓錐狀，另一端為平面的石膏模 后干燥，制得直徑為1～20厘米，厚度0.5～2.0厘米，一面為鋸齒圓錐狀高度 0.2-1.0厘米，圓錐體角度40-70度，圓錐體之間距離0.2-0.5厘米的高溫流化 床反應用微孔陶瓷氣體分布板壞料；

c.燒結

將上述b步石膏模脫模干燥制得的一面為鋸齒圓錐狀的圓錐體，另一端為 平面的微孔陶瓷氣體分布板壞料放入無壓燒結爐，以5-10℃/min的升溫速度升 溫至1350℃～1500℃將其燒結4-6小時后，自然冷卻之室溫即可，最終獲得的 整體氣孔率50-70％的高溫流化床反應用微孔陶瓷氣體分布板。

所述的一種高溫流化床反應用微孔陶瓷氣體分布板的制備方法，其特征在 于，所述的馬鈴薯粉是提前溶于40℃～60℃的熱水中制得的濃度為馬鈴薯粉重量 百分含量為10％的水溶液。

所述的一種高溫流化床反應用微孔陶瓷氣體分布板，其特征在于，高溫流 化床反應用微孔陶瓷氣體分布板的直徑為1～20厘米，厚度0.5～2.0厘米，一 面為鋸齒圓錐狀高度0.2-1.0厘米，圓錐體角度40-70度，圓錐體之間距離 0.2-0.5厘米，另一端為平面的高溫流化床反應用微孔陶瓷氣體分布板。

本發明的有益效果：本發明所提供的以無機陶瓷碳化硅為主料配備一定的 輔助原料制作的高溫流化床反應用微孔陶瓷氣體分布板，氣孔率大，耐高溫， 無污染，氣體分布狀態良好，反應物料懸浮狀態良好，阻力小，不漏料，不堵 塞，檢修和安裝方便，生產的多晶硅純度和產率高。

附圖說明

圖1是本發明的高溫流化床反應用微孔陶瓷氣體分布板俯視圖。

圖2是圖1的A向剖視內部結構示意圖。

具體實施方式

以下結合實施例對本發明作進一步詳細說明。