[發(fā)明專利]氣體輸運沉積裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910019686.8 | 申請日: | 2009-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN101504959A | 公開(公告)日: | 2009-08-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王步峰;李青海;王景義 | 申請(專利權)人: | 山東潤峰集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 濟南圣達專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 張 勇 |
| 地址: | 277600山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 輸運 沉積 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種氣體輸運沉積裝置,特別涉及一種針對碲化鎘薄膜太陽電池吸收層的氣體輸運沉積裝置。
背景技術
碲化鎘薄膜太陽電池的吸收層有多種實驗室制作方法,典型的有真空蒸發(fā)沉積、濺射沉積、分子束外延沉積、絲網印刷、電鍍、氣相外延、近空間升華、氣體輸運沉積等,其中的近空間升華、氣體輸運沉積技術從實驗室發(fā)展成產業(yè)化,一些與生產效率、產品性能密切相關的關鍵技術,正在進行著廣泛而深入的研究。
氣體輸運沉積碲化鎘薄膜太陽電池,由于沉積源結構比較復雜,該工藝實驗室研究資料相當匱乏,目前成功采用該技術的廠家也只有美國一家工廠。按照它1999年公布的專利《APPARATUS?AND?METHOD?FOR?DEPOSITING?A?MATERIAL?ON?A?SUBSTRATE》(專利號US5945163)和2000年公布的專利《APPARATUS?AND?METHOD?FOR?DEPOSITING?ASEMICONDUCTOR?MATERIAL》(專利號US6037241),其結構形式有如下幾方面缺點:
1.加熱效率很低。由于它采用的是電阻絲加熱方式,需要進行絕緣保護,而且不能直接接觸被沉積物質;
2.開口部分的熱絲與被沉積物有短暫接觸,可能會污染沉積物;
3.氣流分布基本不受控,很難保證沉積薄膜的均勻性。
按照理論計算,碲化鎘薄膜太陽電池的光電轉換效率可以達到26%,實驗室的最高轉換效率也達到16.5%,而用目前結構沉積源生長的薄膜太陽電池組件效率只有10%,有相當量的試驗和理論研究工作要做。
發(fā)明內容
本發(fā)明就是針對上述設計缺點,提供一種具有結構簡單,使用方便,使用壽命長,加熱均勻,能有效防止沉積源氣體受到污染等優(yōu)點的氣體輸運沉積裝置。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術方案:
一種氣體輸運沉積裝置,它包括一個封閉的石墨管式加熱器,石墨管式加熱器兩端分別與氣體運輸左通道和氣體運輸右通道連通。
一種氣體輸運沉積裝置,它包括一個封閉的石墨管式加熱器,石墨管式加熱器兩端中僅有一個與氣體運輸通道連通,另一端封閉。
所述石墨管式加熱器內設有氣體導流裝置。
所述氣體導流裝置為設置在石墨管式加熱器內壁的交錯布置的一組氣體導流板。
所述氣體導流裝置為一組同心異徑的弧狀半閉環(huán)式氣體導流板。
所述氣體運輸通道伸入石墨管式加熱器內部,同時在該部分氣體運輸通道設有儲料槽。
所述氣體運輸通道為石英管。
所述石墨管式加熱器為直徑小而管體狹長的線性加熱器。
本發(fā)明氣體輸運沉積裝置具有的石墨管式加熱器,其加熱效率高,由于石墨本身所固有的特性,使得加熱器的耐溫特性極大提高,從而極大地提高了加熱器本身的使用壽命,保證了這種氣體輸運沉積裝置的長期工作有效性和穩(wěn)定性。另外,本發(fā)明氣體輸運沉積裝置的石墨管式加熱器同時也是沉積源的核心腔體,使得氣體輸運沉積裝置的結構更加簡潔。
另外,本發(fā)明氣體輸運沉積裝置僅采用石墨和石英兩種材質,即使大面積接觸,也不會造成對沉積源被沉積物質的污染。
另外,本發(fā)明氣體輸運沉積裝置具有三段式結構設計,由于此因,保證了本發(fā)明氣體輸運沉積裝置在設備安裝時更加便捷。
另外,本發(fā)明氣體輸運沉積裝置加熱管徑小而狹長,近似于“線加熱”,使得溫度場更加均勻。
另外,本發(fā)明氣體輸運沉積裝置采取多種形式結構導流板氣路系統(tǒng)設計,保證氣體輸運成分的均勻穩(wěn)定性。
石墨管式加熱器是本發(fā)明的重點核心內容。
本發(fā)明的有益效果是:選用石墨體加熱方式,增加氣體輸運沉積裝置的使用壽命。選用石墨體管式加熱方式,使溫度場更均勻。選用石墨管式加熱器同時做沉積源的核心腔體,避免工藝過程對沉積源氣體的污染。復雜氣路結構設計,采取科學合理的氣路結構,對輸運氣體氣流進行有效控制。
附圖說明:
圖1為本發(fā)明氣體輸運沉積裝置的示意圖;
圖2是本發(fā)明氣體輸運沉積裝置第1實施例結構斷面示意圖;
圖3是本發(fā)明氣體輸運沉積裝置第2實施例的斷面示意圖;
圖4是本發(fā)明氣體輸運沉積裝置第3實施例的橫斷面示意圖;
圖5是本發(fā)明氣體輸運沉積裝置第3實施例的縱斷面示意圖。
其中,1.氣體運輸左通道,2.石墨管式加熱器,3.氣體運輸右通道,4.儲料槽,5.氣體導流板,6.半閉環(huán)式氣體導流板,7.氣體輸運通道。
具體實施方式:
下面結合附圖與實施例對本發(fā)明作進一步說明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





