[發明專利]真空顯影機構

有效

• 申請號: 200910011829.0
• 申請日: 2009-06-03
• 公開（公告）號: CN101907834A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 宗潤福;陳焱
• 申請（專利權）人: 沈陽芯源微電子設備有限公司
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002
• 代理人: 張志偉

技術領域

本發明涉及顯影技術，具體為一種真空顯影機構。

背景技術

通常的顯影機構，顯影腔體都是敞開式的。顯影工藝是集成電路、分立器件制造以及微機電系統(MEMS，Micro-Electro-Mechanical?Systems)、硅通孔(TSV，Through-Silicon-Via)先進封裝技術等生產中的一項重要的基本工藝。

在MEMS、TSV器件顯影工藝中，因為基片上已有作好的圖形，多為較深的溝槽結構及深孔，此時在顯影過程中由于溝槽或深孔底部積聚有空氣，顯影液噴灑到基片表面后在溝槽、深孔底部容易形成氣泡，這樣就會造成顯影不足甚至顯不到的情況。如果單純增大液量或顯影時間，則可能出現部分區域過顯。

發明內容

本發明的目的在于提供一種真空顯影機構，解決現有技術在已有圖形的基片表面進行曝光后，顯影時容易出現圖形底部顯影不足甚至顯不到等問題。

本發明的技術方案是：

一種真空顯影機構，該真空顯影機構設有主軸、承片臺、噴頭、上蓋、顯影腔體，上蓋和顯影腔體扣合，上蓋和顯影腔體之間加有密封圈；承片臺和承片臺底部的主軸連接，主軸和顯影腔體間裝有密封圈，顯影和清洗的噴頭裝在上蓋上。

所述的真空顯影機構，噴頭一端伸至上蓋內側，與承片臺上的基片對應，噴頭另一端連接供液管路。

所述的真空顯影機構，上蓋外側連接氣缸，上蓋的開合由氣缸驅動。

所述的真空顯影機構，顯影腔體接有排液管路、真空管路、氮氣管路和大氣管路，在各管路上分別設有閥門。

所述的真空顯影機構，基片通過真空吸附在承片臺上，真空吸附的管路穿過主軸和承片臺至基片底部。

所述的真空顯影機構，在顯影時，該真空顯影機構的顯影腔體為真空腔體，顯影工藝過程在真空環境下完成。

本發明的有益效果是：

1、本發明真空顯影機構，在真空環境下加快氣體排出，使得顯影液能夠充分和基片接觸，保證了良好的顯影效果。

2、本發明設計了帶上蓋的密閉顯影腔體結構，可以實現在真空環境下顯影，以使顯影液能夠充分和基片接觸，使溝槽或深孔結構也能得到良好的顯影效果。

附圖說明

圖1-圖2為本發明結構示意圖。其中，圖1為主視圖；圖2為側視圖。

圖中，1主軸；2密封圈；3承片臺；4噴頭；5密封圈；6供液管路；7上蓋；8顯影腔體；9閥門；10氣缸；11基片。

具體實施方式

如圖1-2所示，本發明真空顯影機構主要包括：主軸1、密封圈2、承片臺3、噴頭4、密封圈5、供液管路6、上蓋7、顯影腔體8、閥門9、氣缸10、基片11，上蓋7和顯影腔體8緊密的扣在一起，上蓋7和顯影腔體8之間加有密封圈5，防止漏氣。為了保證噴液時顯影腔體8的密封，顯影和清洗噴頭4裝在上蓋7上，上蓋7一扣到顯影腔體8上，噴頭4就處于工作位，可以按照設定好的程序噴灑顯影液和清洗液，噴頭4一端伸至上蓋7內側，與基片11對應，噴頭4另一端連接供液管路6。上蓋7外側連接氣缸10，上蓋7的開合由氣缸10驅動。顯影腔體8底部及側面接有排液(EXH)管路、真空(VAC)管路、氮氣(N₂)管路和大氣管路，在各管路上分別設有自動閥門9，控制各管路的通斷。承片臺3和承片臺3底部的主軸1連在一起，為了保證主軸旋轉狀態下不會泄露，主軸1和顯影腔體8間也裝有密封圈2。基片11通過真空(強于顯影腔體真空)吸附在承片臺3上，真空吸附的管路可以穿過主軸1和承片臺3至基片11底部。

在工作狀態下，基片11吸附在承片臺3上，上蓋7扣下后，排液(EXH)管路、氮氣(N₂)管路和大氣管路上的閥門關閉，真空(VAC)管路上的閥門9打開，將顯影腔體8內抽真空。在顯影時，該真空顯影機構的顯影腔體為真空腔體，顯影工藝過程在真空環境下完成。當達到設定值時，停止抽氣，按設定要求噴顯影液、清洗液完成顯影工藝。然后，將排液(EXH)管路上的閥門打開，同時顯影腔體8內通入一定量氮氣之后，關閉氮氣(N₂)管路上的閥門。最后，打開大氣管路上的閥門，以平衡內外壓力方便開蓋。

本發明裝置可作為核心模塊嵌入全自動或獨立式半自動顯影設備中，用于MEMS、TSV顯影工藝中。