[發明專利]一種三維網絡碳化硅表面制備氧化鋁陶瓷薄膜的方法

有效

• 申請號: 200910011491.9
• 申請日: 2009-05-12
• 公開（公告）號: CN101550030A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 茹紅強;閆海樂;武艷君;馬婭娜;喻亮;岳新艷;房明
• 申請（專利權）人: 東北大學
• 主分類號: C04B41/87
• 分類號: C04B41/87;C04B35/10
• 代理公司: 沈陽東大專利代理有限公司
• 代理人: 李在川

1.一種三維網絡碳化硅表面制備氧化鋁陶瓷薄膜的方法，包括溶膠制備，薄膜涂覆和 燒結，其特征在于按以下步驟進行：(1)以硝酸鋁為先驅體，配制0.18～0.3mol/L的硝酸鋁溶 液，加入堿性溶液調節pH值為8.5～9.5，過濾，獲得固相沉淀，用水洗4～6次；將水洗后的 固相沉淀與水混合，水的用量按固相沉淀中的鋁離子和水的摩爾比為Al³⁺∶H₂O＝1∶95～110； 然后加入無機酸溶液調節pH值為3～4.5，加熱至50±10℃靜置9～13h，獲得含鋁溶膠；所述 的堿性溶液為質量濃度25～28％的氨水溶液，無機酸溶液為濃度0.2～0.24mol/L的硝酸溶液； (2)將三維網絡碳化硅在真空條件下浸沒在含鋁溶膠中，浸漬15～25min，然后取出在150～210 ℃條件下烘干10～60min；重復以上步驟2～4次，完成涂覆；(3)將涂覆含鋁溶膠完成后的三 維網絡碳化硅以2～5℃/min的速度升溫至850～920℃，保溫2.4～3.2h，在三維網絡碳化硅表 面制備出氧化鋁陶瓷薄膜。

2.根據權利要求1所述的三維網絡碳化硅表面制備氧化鋁陶瓷薄膜的方法，其特征在 于所述的三維網絡碳化硅表面制備的氧化鋁陶瓷薄膜厚度為0.5～1.2μm。