[發(fā)明專利]微透鏡制造方法和固態(tài)圖像傳感器制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910009801.3 | 申請(qǐng)日: | 2009-01-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101493650A | 公開(公告)日: | 2009-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 藤田五郎;小林誠司;齊藤公博;今西慎悟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 索尼株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F7/00 | 分類號(hào): | G03F7/00;G02B3/00;H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 余 剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透鏡 制造 方法 固態(tài) 圖像傳感器 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
本發(fā)明包含于2008年1月24日向日本專利局提交的日本專利 申請(qǐng)JP?2008-013492和于2008年6月12日向日本專利局提交的日 本專利申請(qǐng)JP?2008-153760的主題,其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種微透鏡制造方法和配備有微透鏡的固態(tài)圖像 傳感器的制造方法。
背景技術(shù)
微透鏡和微透鏡陣列的應(yīng)用粗略地分為用于使光會(huì)聚在分開 的微型元件上的微透鏡和替代單件生產(chǎn)的透鏡的微透鏡。
在對(duì)用于使光會(huì)聚到分開的微型元件上的微透鏡的應(yīng)用中,例 如,微透鏡用于通過使光入射會(huì)聚在包括光接收元件的照相機(jī)的固 態(tài)圖像傳感器(CCD)、或用于讀取傳真的圖像傳感器中的光電變 換器的有效區(qū)域上來有效利用一些光線。
同樣地,微透鏡用于使光有效地會(huì)聚到二維排列在透反式液晶 顯示面板上的顯示像素中來提高亮度。
在對(duì)作為單件生產(chǎn)的透鏡的替代的微透鏡的應(yīng)用中,微透鏡用 作對(duì)背投式投影儀的雙凸透鏡的替代。
在用于制造微透鏡(包括微透鏡陣列的微透鏡)的普通方法中, 融化抗蝕劑,并且使用融化的抗蝕劑的表面張力來形成曲面。
例如,如圖15A所示,光致抗蝕膜在形成于基板101上的透鏡 形成膜102上形成,對(duì)光致抗蝕膜執(zhí)行曝光和顯影以形成柱狀抗蝕 圖樣103。
然后,如圖15B所示,抗蝕圖樣103通過加熱而被液化,以形 成凸透鏡的形狀。然后,此形狀通過冷卻而被固化,以形成凸透鏡 形狀的抗蝕透鏡圖樣104。
接下來,蝕刻凸透鏡形狀的抗蝕透鏡圖樣104和透鏡形成膜 102。
結(jié)果,如圖15C所示,凸透鏡形狀的抗蝕透鏡圖樣104(參照 圖15B)被轉(zhuǎn)印到透鏡形成膜102上,以形成凸透鏡形狀的微透鏡 105。
可選地,雖然圖中未示出,但是形成于基板上的聚合物膜通過 激光處理被形成為柱狀形狀,然后柱狀形狀的聚合物膜被液化,以 使用聚合物的表面張力來形成凸透鏡的形狀。然后,聚合物通過冷 卻而被固化,以形成微透鏡。
上述的微透鏡制造方法可以適用于在大區(qū)域中形成多個(gè)微透 鏡。然而,因?yàn)榇_定微透鏡形狀的凸透鏡形狀的抗蝕透鏡圖樣是由 抗蝕劑的遷移率來確定的,所以降低了設(shè)計(jì)自由度,并且難以在像 素中得到期望的光漫射特性。
另外,當(dāng)抗蝕圖樣通過加熱而被軟化和液化時(shí),出現(xiàn)如下問題: 如果鄰近的抗蝕圖樣彼此接觸,那么抗蝕圖樣就會(huì)由于表面張力而 平滑地(smoothly)連接到一起,從而使透鏡形狀變形。因此,難 以形成連貫的微透鏡陣列。
在近來的緊湊型數(shù)碼相機(jī)或移動(dòng)電話的照相機(jī)中,已進(jìn)行了小 型化和輕薄化,并且在透鏡和固態(tài)圖像傳感器(例如,CCD或CMOS 傳感器)之間的距離已減小。因此,出現(xiàn)了如下問題:光入射到微 透鏡陣列的角度在固態(tài)圖像傳感器的外圍區(qū)域中增大,從而導(dǎo)致從 光接收有效區(qū)域的大偏離和由于光接收率的減少而降低了靈敏度。
為了解決這些問題,披露了一項(xiàng)技術(shù),其中,通過使用DML (數(shù)字微透鏡)的電子束曝光技術(shù)根據(jù)光接收部的位置來形成最佳 透鏡形狀,從而實(shí)現(xiàn)入射角為30°以上的光接收率的提高(例如, 參考Kimiaki?Toshikiyo,Takanori?Yogo,Motonari?Ishii,Kazuhiro Yamanaka,Toshinobu?Matsuno,Kazutoshi?Onozawa,Takumi Yamaguchi,“A?MOS?Image?Sensor?with?Microlenses?Built?by Sub-Wavelength?Patterning”,2007?ISSCC,SESSION?28,IMAGE SENSORS?28.8?2007)。
此外,作為用于改變?cè)谏鲜鑫⑼哥R陣列中的每一個(gè)透鏡的形狀 的方法,披露了一項(xiàng)對(duì)透鏡模各向異性地施加壓力的技術(shù)(例如, 參考日本未審查專利申請(qǐng)公開第9-323353號(hào))。
前一種方法具有對(duì)電子束曝光使用大裝置的問題,而后一種方 法具有用于形成具有期望形狀的微透鏡的自由度低和難以應(yīng)用于 微透鏡的小型化的問題。
發(fā)明內(nèi)容
將要解決的問題在于,在不使用電子束曝光裝置的情況下,難 以形成具有期望形狀的微透鏡。
本發(fā)明能夠在不使用電子束曝光裝置的情況下形成具有期望 形狀的微透鏡。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
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