[發(fā)明專利]碳納米管顯示器驅(qū)動(dòng)電路及調(diào)整顯示器的輸出亮度的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910008775.2
• 申請(qǐng)日: 2009-03-09
• 公開（公告）號(hào): CN101833911A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周彥云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 普誠(chéng)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/28
• 分類號(hào): G09G3/28;G09G5/10
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于碳納米管顯示器，特別涉及碳納米管顯示器調(diào)校亮度的裝置及方法。

背景技術(shù)

碳納米管顯示器(Carbon?Nanotube?Displayer，CNDP)為目前極為熱門的一種場(chǎng)發(fā)射顯示器，其同時(shí)具有映像管顯示器高亮度、廣視角與液晶顯示器體積小、重量輕的優(yōu)點(diǎn)，而成為未來極具競(jìng)爭(zhēng)力的顯示器技術(shù)之一。

圖1為碳納米管顯示器100及其驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。碳納米管顯示器100包括多個(gè)像素102。驅(qū)動(dòng)電路110的輸出級(jí)104又包括一p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(p-type-MOSFET)112及一n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(n-type-MOSFET)114，兩晶體管112及114各包括一柵極耦接至該一像素信號(hào)S_p并接受其控制，當(dāng)像素信號(hào)S_p的電壓降低，則PMOS晶體管112導(dǎo)通，NMOS晶體管114關(guān)閉，而使該像素102上呈現(xiàn)接近V_H的高壓；反之，當(dāng)像素信號(hào)S_p的電壓升高，則PMOS晶體管112關(guān)閉，NMOS晶體管114開啟，而使該像素102上呈現(xiàn)接近V_GND的低壓。依照上述過程，耦接至該像素102可被像素信號(hào)S_p所驅(qū)動(dòng)。

圖2為碳納米管顯示器100的像素102的轉(zhuǎn)移特性曲線示意圖。在碳納米管顯示器100的使用初期，其像素102的轉(zhuǎn)移特性曲線202如圖所示。然而，基于碳納米管顯示器本身的一特別的性質(zhì)，該碳納米管顯示器100的像素102的轉(zhuǎn)移特性曲線202會(huì)隨著使用時(shí)間的增加而偏移成轉(zhuǎn)移特性曲線204。傳統(tǒng)技術(shù)中，像素102被施加以定電流I_const，則由圖2所示，像素102上的電壓也會(huì)隨使用時(shí)間的增加而由電壓V₁逐漸偏移至電壓V₂，此即表示，碳納米管顯示器100的亮度會(huì)隨使用時(shí)間的增加而越來越亮，造成畫面顯示的不穩(wěn)定。

因此，如何設(shè)計(jì)出一種能使碳納米管顯示器的亮度獲得調(diào)校的裝置，實(shí)為目前客不容緩而亟待解決的重要課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種碳納米管顯示器驅(qū)動(dòng)電路，用以驅(qū)動(dòng)一碳納米管顯示器的至少一像素，該碳納米管顯示器驅(qū)動(dòng)電路包括一輸出級(jí)及一調(diào)校裝置。該輸出級(jí)耦接至該像素，并受一像素信號(hào)控制以使該像素切換于一高壓及一低壓之間；該調(diào)校裝置耦接于該輸出級(jí)與該像素之間，并接受至少一偏壓的控制而調(diào)整該調(diào)校裝置的等效電阻值以校準(zhǔn)該像素的顯示亮度。

本發(fā)明所述的碳納米管顯示器驅(qū)動(dòng)電路，該調(diào)校裝置包括彼此串聯(lián)的多個(gè)傳輸門，其中一第一傳輸門耦接至該輸出級(jí)，而一最末傳輸門耦接至該像素。

本發(fā)明所述的碳納米管顯示器驅(qū)動(dòng)電路，各傳輸門包括一第一晶體管及一第二晶體管，其中該第一晶體管的漏極耦接至該第二晶體管的源極，該第一晶體管的源極耦接至該第二晶體管的漏極，該第一晶體管的一柵極耦接至該偏壓，而該第二晶體管的一柵極耦接至該高壓。

本發(fā)明所述的碳納米管顯示器驅(qū)動(dòng)電路，該第一晶體管為一p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而該第二晶體管為一n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

本發(fā)明所述的碳納米管顯示器驅(qū)動(dòng)電路，該輸出級(jí)包括一p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及一n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中該p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極及該n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極皆耦接至該像素信號(hào)。

本發(fā)明另提供調(diào)整碳納米管顯示器的輸出亮度的方法，包括配置一驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路包括至少一輸出級(jí)，其中該輸出級(jí)耦接至一碳納米管顯示器的至少一像素，而該輸出級(jí)接受一像素信號(hào)控制以使該像素切換于一高壓及一低壓之間；配置一調(diào)校裝置于該輸出級(jí)與該像素之間；以及施加一偏壓于該調(diào)校裝置以調(diào)整該調(diào)校裝置的等效電阻值而校準(zhǔn)該像素的顯示亮度。

本發(fā)明所述的調(diào)整碳納米管顯示器的輸出亮度的方法，還包括配置彼此串聯(lián)的多個(gè)傳輸門于該調(diào)校裝置中，其中一第一傳輸門耦接至該輸出級(jí)，而一最末傳輸門耦接至該像素。

本發(fā)明所述的調(diào)整碳納米管顯示器的輸出亮度的方法，配置一第一晶體管及一第二晶體管于各傳輸門中，其中該第一晶體管的漏極耦接至該第二晶體管的源極，該第一晶體管的源極耦接至該第二晶體管的漏極，該第一晶體管的一柵極耦接至該偏壓，而該第二晶體管的一柵極耦接至該高壓。

本發(fā)明所述的調(diào)整碳納米管顯示器的輸出亮度的方法，該第一晶體管為一p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而其中該第二晶體管為一n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。