[發明專利]碳納米管顯示器驅動電路及調整顯示器的輸出亮度的方法

無效

• 申請號: 200910008775.2
• 申請日: 2009-03-09
• 公開（公告）號: CN101833911A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 周彥云
• 申請（專利權）人: 普誠科技股份有限公司
• 主分類號: G09G3/28
• 分類號: G09G3/28;G09G5/10
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種碳納米管顯示器驅動電路，其特征在于，用以驅動一碳納米管顯示器的至少一像素，該碳納米管顯示器驅動電路包括：

一輸出級，耦接至該像素，并受一像素信號控制以使該像素切換于一高壓及一低壓之間；以及

一調校裝置，耦接于該輸出級與該像素之間，并接受至少一偏壓的控制而調整該調校裝置的等效電阻值以校準該像素的顯示亮度。

2.根據權利要求1所述的碳納米管顯示器驅動電路，其特征在于，該調校裝置包括彼此串聯的多個傳輸門，其中一第一傳輸門耦接至該輸出級，而一最末傳輸門耦接至該像素。

3.根據權利要求2所述的碳納米管顯示器驅動電路，其特征在于，各傳輸門包括一第一晶體管及一第二晶體管，其中該第一晶體管的漏極耦接至該第二晶體管的源極，該第一晶體管的源極耦接至該第二晶體管的漏極，該第一晶體管的一柵極耦接至該偏壓，而該第二晶體管的一柵極耦接至該高壓。

4.根據權利要求3所述的碳納米管顯示器驅動電路，其特征在于，該第一晶體管為一p型金屬氧化物半導體場效應晶體管，而該第二晶體管為一n型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

5.根據權利要求1所述的碳納米管顯示器驅動電路，其特征在于，該輸出級包括一p型金屬氧化物半導體場效應晶體管及一n型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其中該p型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極及該n型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極皆耦接至該像素信號。

6.一種調整碳納米管顯示器的輸出亮度的方法，其特征在于，包括：

配置一驅動電路，該驅動電路包括至少一輸出級，其中該輸出級耦接至一碳納米管顯示器的至少一像素，而該輸出級接受一像素信號控制以使該像素切換于一高壓及一低壓之間；

配置一調校裝置于該輸出級與該像素之間；以及

施加一偏壓于該調校裝置以調整該調校裝置的等效電阻值而校準該像素的顯示亮度。

7.根據權利要求6所述的調整碳納米管顯示器的輸出亮度的方法，其特征在于，還包括配置彼此串聯的多個傳輸門于該調校裝置中，其中一第一傳輸門耦接至該輸出級，而一最末傳輸門耦接至該像素。

8.根據權利要求6所述的調整碳納米管顯示器的輸出亮度的方法，其特征在于，配置一第一晶體管及一第二晶體管于各傳輸門中，其中該第一晶體管的漏極耦接至該第二晶體管的源極，該第一晶體管的源極耦接至該第二晶體管的漏極，該第一晶體管的一柵極耦接至該偏壓，而該第二晶體管的一柵極耦接至該高壓。

9.根據權利要求8所述的調整碳納米管顯示器的輸出亮度的方法，其特征在于，該第一晶體管為一p型金屬氧化物半導體場效應晶體管，而其中該第二晶體管為一n型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

10.根據權利要求6所述的調整碳納米管顯示器的輸出亮度的方法，其特征在于，該輸出級包括一p型金屬氧化物半導體場效應晶體管及一n型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其中該p型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極及該n型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極皆耦接至該像素信號。