[發(fā)明專利]有機(jī)EL裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910008689.1 | 申請(qǐng)日: | 2009-02-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101510555A | 公開(公告)日: | 2009-08-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林建二 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 精工愛普生株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 雒運(yùn)樸;李 偉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) el 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種有機(jī)EL裝置。
背景技術(shù)
以往,已知有一種具備有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光裝置(以下稱為 “有機(jī)EL裝置”)。有機(jī)EL裝置具有由含有有機(jī)材料的材料形成的多 個(gè)發(fā)光元件。就該發(fā)光元件而言,作為基本的構(gòu)成,成為在陽(yáng)極和陰極 之間夾持有有機(jī)發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。
而且,在形成了多個(gè)發(fā)光元件的元件區(qū)域,設(shè)置有對(duì)發(fā)光元件進(jìn)行 劃分的隔壁,其最外周的隔壁作為包圍元件區(qū)域的“包圍構(gòu)件”而設(shè)置。 并且,在被稱為“額緣部(frame?portion)”的元件區(qū)域周邊部的非顯 示區(qū)域,配置有與發(fā)光元件的陰極連接的陰極布線。陰極布線的形成是 為了進(jìn)行陰極至有機(jī)EL裝置的連接端子部的電導(dǎo)通。發(fā)光元件的陰極 通常從元件區(qū)域的內(nèi)側(cè)跨過(guò)包圍構(gòu)件而被引出至額緣部,與陰極布線連 接。
專利文獻(xiàn)1:特開2007-234819號(hào)公報(bào)
但是,在上述以往的有機(jī)EL裝置中,由于當(dāng)連接陰極布線和發(fā)光 元件的陰極時(shí),發(fā)光元件的陰極(電極)跨過(guò)包圍構(gòu)件與基板上的電極 連接,所以因?yàn)榘鼑鷺?gòu)件的外側(cè)面與基板的表面所成的角度,在包圍構(gòu) 件的外側(cè)面在基板上豎起的位置附近,會(huì)發(fā)生電極的覆蓋不良或裂紋等 缺陷,導(dǎo)致在電極和導(dǎo)電構(gòu)件之間有可能發(fā)生斷線。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于此,本發(fā)明提供一種在連接包圍構(gòu)件的內(nèi)側(cè)的發(fā)光元件的電極 和包圍構(gòu)件的外側(cè)的導(dǎo)電構(gòu)件時(shí),能夠防止電極和導(dǎo)電構(gòu)件之間的斷線 的有機(jī)EL裝置。
為了解決上述課題,本發(fā)明的有機(jī)EL裝置具有:形成有多個(gè)發(fā)光元 件的元件區(qū)域,所述發(fā)光元件含有設(shè)置在基體上的第一電極、設(shè)置在所述 第一電極的上方的功能層、和設(shè)置在所述功能層的上方的第二電極;設(shè)置 在所述基體上的包圍構(gòu)件,其被配置在包圍所述元件區(qū)域的位置,對(duì)多個(gè) 所述發(fā)光元件中至少最接近所述基體的外周的元件所包含的功能層的所 述外周側(cè)的側(cè)部進(jìn)行覆蓋;和導(dǎo)電構(gòu)件,其被配設(shè)在所述包圍構(gòu)件的外側(cè); 與所述導(dǎo)電構(gòu)件連接并從所述包圍構(gòu)件的外側(cè)跨上所述包圍構(gòu)件而與所 述第二電極連接的連接用導(dǎo)電構(gòu)件的厚度,大于所述第二電極的厚度。
通過(guò)如此構(gòu)成,對(duì)包圍構(gòu)件的基體外周側(cè)的外側(cè)面從基板上豎起的 部分進(jìn)行覆蓋,形成比第二電極厚的連接用導(dǎo)電構(gòu)件。因此,與如以往 所示第二電極從包圍構(gòu)件的內(nèi)側(cè)向外側(cè)引出并與基板上的導(dǎo)電構(gòu)件連 接的情況相比,可以抑制包圍構(gòu)件的外側(cè)面的豎起部分附近的缺陷發(fā) 生。從而,可以防止第二電極和導(dǎo)電構(gòu)件之間的斷線。
而且,在本發(fā)明的有機(jī)EL裝置中,上述連接用導(dǎo)電構(gòu)件的厚度為 120nm以上,上述第二電極的厚度為20nm以下。
通過(guò)如此構(gòu)成,可進(jìn)一步可靠地防止包圍構(gòu)件的外側(cè)面的豎起部分 附近發(fā)生缺陷,能進(jìn)一步可靠地防止第二電極和導(dǎo)電構(gòu)件之間的斷線。
并且,在本發(fā)明的有機(jī)EL裝置中,上述包圍構(gòu)件的厚度為1μm 以上。
通過(guò)如此構(gòu)成,可以由包圍構(gòu)件可靠地劃分元件區(qū)域和其以外的區(qū) 域。而且,通過(guò)與第二電極充分絕緣,能夠在包圍構(gòu)件之下形成第一電 極側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路或布線等。
另外,在本發(fā)明的有機(jī)EL裝置中,上述包圍構(gòu)件的上述基體的外 周側(cè)的外側(cè)面與基體表面之間所成的角度為20度以上70度以下。
通過(guò)如此構(gòu)成,包圍構(gòu)件的外側(cè)面的角度不會(huì)過(guò)緩,包圍構(gòu)件的周 緣部的基體表面方向的幅度不會(huì)過(guò)度增大。而且,包圍構(gòu)件的外側(cè)面的 角度不會(huì)變得過(guò)陡,在包圍構(gòu)件的外側(cè)面從基體表面豎起的部分附近, 可以防止連接用導(dǎo)電構(gòu)件發(fā)生缺陷(斷線)。
而且,在本發(fā)明的有機(jī)EL裝置中,上述連接用導(dǎo)電構(gòu)件由離子化 傾向比上述第二電極的材料小的材料形成。
通過(guò)如此構(gòu)成,與第二電極和導(dǎo)電構(gòu)件直接連接的情況、和使用離 子化傾向等于或大于第二電極的離子化傾向的材料作為連接用導(dǎo)電構(gòu) 件的材料的情況進(jìn)行比較,可以防止水分向發(fā)光元件的內(nèi)部浸透,防止 發(fā)光元件的劣化。并且,由于電流集中于導(dǎo)電構(gòu)件,所以也可以防止高 溫動(dòng)作時(shí)的電遷移的發(fā)生。
另外,在本發(fā)明的有機(jī)EL裝置中,上述連接用導(dǎo)電構(gòu)件由鋁形成。
通過(guò)如此構(gòu)成,與用銀等金屬材料制造連接用導(dǎo)電構(gòu)件的情況相 比,可以低溫形成,且容易制造,同時(shí)能夠削減材料成本。
而且,在本發(fā)明的有機(jī)EL裝置中,上述第二電極層疊有金屬薄膜 和透明導(dǎo)電膜而形成。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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