[發(fā)明專利]有機EL裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910008689.1
• 申請日: 2009-02-11
• 公開（公告）號: CN101510555A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林建二
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L23/48
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 雒運樸;李 偉

1.一種有機EL裝置，其特征在于，具有：

形成有多個發(fā)光元件的元件區(qū)域，所述發(fā)光元件含有設(shè)置在基體上 的第一電極、設(shè)置在所述第一電極的上方的功能層、和設(shè)置在所述功能 層的上方的第二電極；

設(shè)置在所述基體上的包圍構(gòu)件，其被配置在包圍所述元件區(qū)域的位 置，對多個所述發(fā)光元件中至少最接近所述基體的外周的元件所包含的 功能層的所述外周側(cè)的側(cè)部進行覆蓋；和

導電構(gòu)件，其被配設(shè)在所述包圍構(gòu)件的外側(cè)；

所述包圍構(gòu)件具有配置在所述元件區(qū)域的最外周的隔壁、和比所述 隔壁靠外側(cè)設(shè)置的平坦化層，

與所述導電構(gòu)件連接并從所述包圍構(gòu)件的外側(cè)跨上所述包圍構(gòu)件 而與所述第二電極連接的連接用導電構(gòu)件的厚度，大于所述第二電極的 厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述隔壁具有外側(cè)部和頭頂部，

所述第二電極從所述元件區(qū)域遍布所述隔壁的所述頭頂部延伸設(shè) 置。

3.如權(quán)利要求2所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述連接用導電構(gòu)件與所述第二電極在所述隔壁的頭頂部電連接。

4.如權(quán)利要求1所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述連接用導電構(gòu)件的厚度比所述第二電極的厚度大。

5.如權(quán)利要求2所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述連接用導電構(gòu)件的厚度比所述第二電極的厚度大。

6.如權(quán)利要求3所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述連接用導電構(gòu)件的厚度比所述第二電極的厚度大。

7.如權(quán)利要求4所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述連接用導電構(gòu)件的厚度為120nm以上，所述第二電極的厚度 為10nm以下。

8.如權(quán)利要求5所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述連接用導電構(gòu)件的厚度為120nm以上，所述第二電極的厚度 為10nm以下。

9.如權(quán)利要求6所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述連接用導電構(gòu)件的厚度為120nm以上，所述第二電極的厚度 為10nm以下。

10.如權(quán)利要求1～9中任意一項所述的有機EL裝置，其特征在 于，

所述包圍構(gòu)件的厚度為1μm以上。

11.如權(quán)利要求10所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述平坦化層與基體表面之間所成的角度為20度以上70度以下。

12.如權(quán)利要求10所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述導電構(gòu)件以圍繞所述隔壁的方式連續(xù)形成為帶狀，

所述連接用導電構(gòu)件沿著所述包圍構(gòu)件的延伸方向被延伸設(shè)置成 帶狀。

13.如權(quán)利要求1～9中任意一項所述的有機EL裝置，其特征在 于，

所述連接用導電構(gòu)件由離子化傾向比所述第二電極的材料小的材 料形成。

14.如權(quán)利要求1～9中任意一項所述的有機EL裝置，其特征在 于，

所述連接用導電構(gòu)件由鋁形成。

15.如權(quán)利要求1～9中任意一項所述的有機EL裝置，其特征在 于，

所述第二電極層疊有金屬薄膜和透明導電膜而形成。

16.如權(quán)利要求1～9中任意一項所述的有機EL裝置，其特征在 于，

形成有覆蓋所述第二電極及所述連接用導電構(gòu)件的電極保護層、形 成在所述電極保護層上并對形成所述包圍構(gòu)件的外側(cè)部的面進行覆蓋 的有機緩沖層、和覆蓋所述有機緩沖層及所述電極保護層的阻氣層。

17.如權(quán)利要求16所述的有機EL裝置，其特征在于，

所述有機緩沖層的端部的接觸角度形成為20度以下。