[發(fā)明專利]芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910008384.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-02-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101740411A | 公開(公告)日: | 2010-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈更新;林峻瑩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/782 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,包括:
提供一圖案化導(dǎo)電層與一圖案化防焊層,其中該圖案化導(dǎo)電層具有多個(gè)第一開口,該圖案化防焊層配置于該圖案化導(dǎo)電層上;
接合多個(gè)芯片至該圖案化導(dǎo)電層上,以使該些芯片與該圖案化防焊層分別配置于該圖案化導(dǎo)電層的相對(duì)二表面上;
借由多條導(dǎo)線電性連接該些芯片至該圖案化導(dǎo)電層,其中該些導(dǎo)線貫穿該圖案化導(dǎo)電層的該些第一開口;
形成至少一封裝膠體,以包覆該圖案化導(dǎo)電層、該圖案化防焊層、該些芯片以及該些導(dǎo)線;以及
分割該封裝膠體、該圖案化導(dǎo)電層與該圖案化防焊層。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,提供該圖案化導(dǎo)電層與該圖案化防焊層的方法包括:
提供一導(dǎo)電層;
形成一防焊層于該導(dǎo)電層上;
圖案化該防焊層以形成該圖案化防焊層,其中該圖案化防焊層暴露出部分該導(dǎo)電層;以及
圖案化該導(dǎo)電層以形成該圖案化導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,提供該圖案化導(dǎo)電層與該圖案化防焊層的方法包括:
提供一防焊層;
形成一導(dǎo)電層于該防焊層上;
圖案化該防焊層以形成該圖案化防焊層,其中該圖案化防焊層暴露出部分該導(dǎo)電層;以及
圖案化該導(dǎo)電層以形成該圖案化導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,提供該圖案化導(dǎo)電層與該圖案化防焊層的方法包括:
提供一導(dǎo)電層;
形成一防焊層于該導(dǎo)電層上;
圖案化該導(dǎo)電層以形成該圖案化導(dǎo)電層;以及
圖案化該防焊層以形成該圖案化防焊層,其中該圖案化防焊層暴露出部分該圖案化導(dǎo)電層。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,提供該圖案化導(dǎo)電層與該圖案化防焊層的方法包括:
提供一防焊層;
形成一導(dǎo)電層于該防焊層上;
圖案化該導(dǎo)電層以形成該圖案化導(dǎo)電層;以及
圖案化該防焊層以形成該圖案化防焊層,其中該圖案化防焊層暴露出部分該圖案化導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,多個(gè)第二開口形成于該圖案化防焊層上,其中該些第二開口暴露出部分該圖案化導(dǎo)電層以及各該芯片的局部區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,多個(gè)第三開口形成于該圖案化防焊層上。
8.如權(quán)利要求7所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,更包括:
于各該第三開口中形成一外部電極,且該些外部電極透過該些第三開口電性連接至該圖案化導(dǎo)電層。
9.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,更包括:
形成一粘著層于該些芯片與該圖案化導(dǎo)電層之間。
10.如權(quán)利要求9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,該粘著層為一B階粘著層。
11.如權(quán)利要求10所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,該B階粘著層預(yù)先形成于該芯片的一有源面上。
12.如權(quán)利要求10所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制程,其特征在于,在該芯片粘著至該圖案化導(dǎo)電層之前,該B階粘著層形成于該圖案化導(dǎo)電層上。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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