[發明專利]多重晶體管元件及其操作與制造方法

有效

• 申請號: 200910008312.6
• 申請日: 2009-02-20
• 公開（公告）號: CN101604694A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 王士瑋;林春榮
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 姜 燕;陳 晨

1.一種多重晶體管元件，包括：

一基板；

一第一有源區與一第二有源區，設置于該基板內；

一第一多重晶體管元件與一第二多重晶體管元件，設置于該基板內，該 第一與第二多重晶體管元件分別包括：

一淺溝槽隔離結構；

一浮置柵堆疊物，位于鄰近該淺溝槽隔離結構的該基板上，該浮 置柵堆疊物包括一第一區、一第二區以及介于該第一區與該第二區間的 一元件缺口，該第一區與該第二區實體地耦接，該淺溝槽隔離結構將該 第一區及該第二區下面的基板隔離；

一控制柵堆疊物，位于該浮置柵堆疊物的上方；

一字線堆疊物，位于鄰近該浮置柵堆疊物與該控制柵堆疊物的該基板 上；

一第一漏極，鄰近靠近該第一區的該字線堆疊物；

一第二漏極，鄰近靠近該第二區的該字線堆疊物；

一第一位線，耦接該第一漏極；以及

一第二位線，耦接該第二漏極，該多重晶體管元件還包括：

一擦除柵堆疊物，設置于該基板上并耦接于該第一與該第二多重晶體管 元件，該字線堆疊物和該擦除柵堆疊物分別位于該第一多重晶體管元件的該 控制柵堆疊物與浮置柵堆疊物的兩側以及分別位于第二多重晶體管元件的 該控制柵堆疊物與浮置柵堆疊物的兩側；以及

一共源極，耦接于該第一與該第二多重晶體管元件，

其中該第一多重晶體管元件耦接于該第一有源區而該第二多重晶體管 元件耦接于該第二有源區；以及

其中該第一與該第二多重晶體管元件于設置后，其內的該元件缺口背對 背設置。

2.如權利要求1所述的多重晶體管元件，其中該第一漏極耦接于該第一 位線，而該第二漏極耦接于該第二位線。

3.如權利要求1所述的多重晶體管元件，其中該浮置柵堆疊物包括擇自 由多晶硅、摻雜多晶硅、及多晶硅與摻雜多晶硅的組合所組成的族群的一材 料。

4.如權利要求1所述的多重晶體管元件，其中該第一與第二多重晶體管 元件的該浮置柵堆疊物的該第一與該第二區實體地耦接。

5.如權利要求1所述的多重晶體管元件，其中該第一位線為一讀取位線 而該第二位線為一編程位線。

6.一種多重晶體管元件的操作方法，該操作方法包括：

提供如權利要求1的一多重晶體管元件，其中該第一位線為一讀取位線 而該第二位線為一編程位線；以及

采用該編程位線編程該多重晶體管元件內的該第一多重晶體管元件與 該第二多重晶體管元件其中之一，其中于編程時該讀取位線未被啟始。

7.如權利要求6所述的多重晶體管元件的操作方法，還包括：

采用該讀取位線進行讀取，其中于讀取時該編程位線未被啟始。