[發明專利]接合方法及接合體有效
| 申請號: | 200910007995.3 | 申請日: | 2009-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN101527257A | 公開(公告)日: | 2009-09-09 |
| 發明(設計)人: | 足助慎太郎 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;B41J2/16 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 李貴亮 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 方法 | ||
1.一種接合方法,其特征在于,包括:
第一工序,其中,準備基材和經由接合膜與所述基材接合的粘附體;
第二工序,其中,通過對所述基材上的應形成所述接合膜的接合膜形成區域以外的區域的至少一部分賦予相對于含有硅酮材料的液態材料的疏液性,設定疏液性區域;
第三工序,其中,通過向所述基材上供給所述含有硅酮材料的液態材料,利用所述液態材料被所述疏液性區域排斥的性質,在所述接合膜形成區域有選擇地形成液態被膜;
第四工序,其中,干燥所述液態被膜,在所述接合膜形成區域得到所述接合膜;
第五工序,其中,通過對所述接合膜賦予能量來使所述接合膜的表面附近顯示粘接性,并利用該粘接性,使所述接合膜和所述粘附體在所述接合膜形成區域部分地接合,從而得到接合體。
2.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
所述硅酮材料的主骨架由聚二甲基硅氧烷構成。
3.根據權利要求1或2所述的接合方法,其中,
所述硅酮材料具有硅烷醇基。
4.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
所述疏液性區域被設定為圍繞所述接合膜形成區域。
5.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
所述疏液性區域是通過如下方法設定的,即通過向所述基材上導入相對于所述液態材料顯示疏液性的疏液性官能團的方法,或者形成相對于所述液態材料顯示疏液性的疏液性被膜的方法。
6.根據權利要求5所述的接合方法,其中,
所述疏液性官能團為氟代烷基。
7.根據權利要求5所述的接合方法,其中,
所述疏液性被膜為自組織化膜或等離子體聚合膜。
8.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
在所述第三工序中,在所述液態材料的供給之前,實施對在所述接合膜形成區域賦予相對于所述液態材料的親液性的親液化處理。
9.根據權利要求8所述的接合方法,其中,
所述親液化處理是利用向所述接合膜形成區域導入羥基的方法來進行的。
10.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
在所述第五工序中,通過使所述接合膜和所述粘附體接觸后,向所述接合膜賦予所述能量而接合所述接合膜和所述粘附體。
11.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
所述第五工序中的所述能量的賦予是利用向所述接合膜照射能量線的方法、加熱所述接合膜的方法及向所述接合膜賦予壓縮力的方法中的至少一種方法來進行的。
12.根據權利要求11所述的接合方法,其中,
所述能量線為波長126~300nm的紫外線。
13.根據權利要求11所述的接合方法,其中,
所述加熱的溫度為25~100℃。
14.根據權利要求11所述的接合方法,其中,
所述壓縮力為0.2~10MPa。
15.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
所述第五工序中的所述能量的賦予是在大氣氣氛中進行的。
16.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
所述接合膜的平均厚度為100nm~100μm。
17.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
至少所述基材的與所述接合膜接觸的部分以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主材料而構成。
18.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
所述粘附體具有與所述接合膜相同的接合膜,
在所述第五工序中,以使所述接合膜與所述粘附體的接合膜之間密接的方式接合所述基材和所述粘附體。
19.根據權利要求1所述的接合方法,其中,
在所述第五工序后,還包括對所述接合體進行提高所述基材與所述粘附體的接合強度的處理的工序。
20.根據權利要求19所述的接合方法,其中,
提高所述接合強度的處理是利用向所述接合膜照射能量線的方法及加熱所述接合膜的方法中的至少一種方法來進行的。
21.一種接合體,其特征在于,
其是所述基材和所述粘附體利用權利要求1~20中任一項所述的接合方法來接合而成的。
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





