[發明專利]在襯底上施加金屬、金屬氧化物和/或半導體材料圖案的方法

無效

• 申請號: 200910007907.X
• 申請日: 2009-02-25
• 公開（公告）號: CN101521160A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發明（設計）人: B·呂澤姆;Z·卡里皮多;J·維澤爾斯;安田章夫
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/78;H01L21/50;H01L23/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 林毅斌;韋欣華

1.在襯底上施加金屬、金屬氧化物和/或半導體材料圖案的方 法，所述方法包括以下步驟：

a)提供具有表面的第一襯底，

b)用水溶性材料層將所述表面涂布，

c)在所述水溶性材料層上產生金屬、金屬氧化物和/或半導體材 料圖案，

d)用聚合物材料層覆蓋所述金屬、金屬氧化物和/或半導體材料 圖案和所述水溶性材料層，

e)用支撐層覆蓋所述聚合物材料層，

f)將所述第一襯底和步驟b)-e)得到的其上面各層浸入一定體積 的水或含水溶液中直到所述水溶性材料層溶解，從而由所述支撐 層、所述聚合物材料層和所述金屬、金屬氧化物和/或半導體材料圖 案組成的組合體與所述第一襯底分離，

g)使所述組合體的所述金屬、金屬氧化物和/或半導體材料圖案 與第二襯底保形接觸，從而將所述金屬、金屬氧化物和/或半導體材 料圖案和其上的聚合物材料層施加到所述第二襯底上，

其中，所述支撐層由選自如下的聚合物材料制成：聚二甲基硅氧 烷(PDMS)、聚烯烴塑料和離聚物，

其中，步驟g)通過如下進行：將步驟f)得到的組合體從所述一定 體積水或含水溶液中移出并使所述金屬、金屬氧化物和/或半導體材 料圖案與所述第二襯底保形接觸，

其中，在步驟g)中，在使所述金屬、金屬氧化物和/或半導體材 料圖案與所述第二襯底保形接觸之前或當中將其與所述第二襯底對 準，

其中，采用所述第二襯底和所述聚合物材料層上的標記圖案或莫 爾圖案實現所述對準，并且所述對準采用對準裝置實現。

2.權利要求1的方法，其中所述步驟g)還包括：使所述組合體 的所述金屬、金屬氧化物和/或半導體材料圖案與所述第二襯底接觸 一段確定的時間，所述時間為10s-48h。

3.權利要求1的方法，所述方法還包括以下步驟：

h)將所述支撐層從所述聚合物材料層上移走。

4.權利要求3的方法，所述方法還包括以下步驟：

i)將所述聚合物材料層移走。

5.權利要求1的方法，其中聚合物材料選自羧酸的聚酯、羧酸 的聚酸酐、聚碳酸酯及其任意混合物。

6.權利要求1的方法，其中聚合物材料選自聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯、乙酸纖維素和聚(氧基羰基氧基- 1，4-亞苯基-亞異丙基-1，4-亞苯基)(聚碳酸酯)。

7.權利要求1的方法，其中聚合物材料為聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)。

8.權利要求1的方法，其中水溶性材料選自聚丙烯酸、聚乙烯 醇和聚丙烯酰胺。

9.權利要求1的方法，其中步驟c)通過光學光刻、納米壓印光 刻、電子束光刻或軟光刻進行。

10.權利要求9的方法，其中步驟c)通過UV納米壓印光刻 進行。

11.權利要求9的方法，其中步驟c)通過光學光刻進行。

12.權利要求9-11中任一項的方法，其中步驟c)通過以下順序 的子步驟進行：

ca)在所述水溶性材料層上施加金屬、金屬氧化物和/或半導體材 料層，

cb)在所述金屬、金屬氧化物和/或半導體材料層上產生抗蝕劑 圖案，和

cc)通過刻蝕技術除去所述抗蝕劑圖案未覆蓋位置的所述金屬、 金屬氧化物和/或半導體材料層。

13.權利要求12的方法，其中所述子步驟還包括在子步驟 cc)之后，cd)除去所述抗蝕劑圖案，在所述水溶性材料層上留下金 屬、金屬氧化物和/或半導體材料圖案。

14.權利要求1的方法，其中步驟f)通過如下進行：將所述第 一襯底和步驟b)-e)得到的其上面各層放入所述一定體積的水或含水 溶液中并將其浸泡1s-3h，在10℃-90℃下進行。