[發明專利]閃速存儲器裝置

有效

• 申請號: 200910007531.2
• 申請日: 2009-02-11
• 公開（公告）號: CN101510440A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 金泓秀;申花炅;金珉澈
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/08;H01L27/115
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿;陸錦華

1.一種閃速存儲器裝置，包括：

存儲單元陣列，包括多個存儲塊，所述存儲塊的每個具有設置在 字線和位線的交叉處的存儲單元，彼此緊鄰的所述多個存儲塊中的存 儲塊包括存儲塊對；和

行選擇電路，被配置為響應于與存儲地址相關聯的存儲操作來驅 動所述字線，其中，所述行選擇電路包括位于每對存儲塊中所包括的 存儲塊之間的相應屏蔽線，并且所述存儲塊對中的每個存儲塊在其間 具有公共源線，其中，所述行選擇電路包括：

開關單元，連接到對應的存儲塊，所述開關單元進行切換以將對 應的電壓施加到對應的字線，

其中，所述屏蔽線的每個位于所述存儲塊對中所包括的緊鄰的開 關單元之間。

2.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中，所述行選擇電路 包括：

解碼器電路，被配置為通過對應的電壓來驅動所述字線。

3.如權利要求2所述的閃速存儲器裝置，其中，所述屏蔽線連接 到接地電壓。

4.如權利要求2所述的閃速存儲器裝置，其中，

所述存儲塊對的字線分別延伸到對應的開關單元；以及

延伸到所述開關單元的存儲塊的字線被布置成分別對應成對地相 互面對，其中，所述屏蔽線位于其間。

5.如權利要求2所述的閃速存儲器裝置，其中，所述解碼器電路 通過對應的電壓來驅動被選擇的存儲塊的字線。

6.如權利要求2所述的閃速存儲器裝置，其中，所述屏蔽線從緊 鄰的開關單元之間延伸到與所述開關單元對應的緊鄰的解碼器之間， 所述開關單元對應于所述存儲塊對。

7.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中，所述行選擇電路 被配置為將未被選擇的存儲塊的每個字線保持在浮動狀態。

8.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中，所述屏蔽線包括 導電材料。

9.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中，所述屏蔽線和所 述字線包括共用材料。

10.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中，所述屏蔽線和所 述存儲單元的柵極包括共用材料。

11.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中，所述屏蔽線和所 述公共源線包括共用材料。

12.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中：

所述屏蔽線被布置在具有所述開關單元的半導體襯底上的裝置隔 離層上；

所述存儲塊對的字線延伸到各個對應的開關單元的所述裝置隔離 層；以及

所述延伸的存儲塊對的字線分別對應成對地相互面對，其中所述 屏蔽線位于其間。

13.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中，所述屏蔽線與所 述字線形成在同一層上。

14.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中，所述屏蔽線和所 述字線同時形成。

15.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中，所述屏蔽線與所 述公共源線形成在同一層上。

16.如權利要求1所述的閃速存儲器裝置，其中，所述屏蔽線與所 述公共源線同時形成。