[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910007435.8 | 申請日： | 2002-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN101488366A | 公開（公告）日： | 2009-07-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 山岡雅直;石橋孝一郎;松井重純;長田健一 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社瑞薩科技 |
| 主分類號： | G11C11/417 | 分類號： | G11C11/417;G11C5/14 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 金春實 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，具有：
具備第1MIS晶體管、第2MIS晶體管、第3MIS晶體管和第4MIS 晶體管的第1靜態(tài)存儲單元；
具備第5MIS晶體管、第6MIS晶體管、第7MIS晶體管和第8MIS 晶體管的第2靜態(tài)存儲單元，
上述第1～第8MIS晶體管皆為N溝型，且上述第1MIS晶體管的 柵極絕緣膜厚度比上述第5MIS晶體管的柵極絕緣膜厚度小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還具有：
輸入輸出電路內(nèi)的第9MIS晶體管；和
具備第10MIS晶體管的邏輯電路，
上述第9MIS晶體管的柵極絕緣膜厚度比上述第1MIS晶體管的 柵極絕緣膜厚度大，
上述第10MIS晶體管的柵極絕緣膜厚度比上述第5MIS晶體管的 柵極絕緣膜厚度小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，
還具備輸入輸出電路和邏輯電路，
上述邏輯電路內(nèi)的MIS晶體管的柵極絕緣膜厚度與上述第1MIS 晶體管的柵極絕緣膜厚度相等，
上述輸入輸出電路內(nèi)的MIS晶體管的柵極絕緣膜厚度與上述第5 MIS晶體管的柵極絕緣膜厚度相等，
上述第1靜態(tài)存儲單元具備P溝型的第11MIS晶體管和P溝型 的第12MIS晶體管，
上述第2靜態(tài)存儲單元具備P溝型的第13MIS晶體管和P溝型 的第14MIS晶體管，
上述第3MIS晶體管和上述第4MIS晶體管的柵極連接到字線上， 上述第1MIS晶體管的柵極連接到上述第4MIS晶體管，漏極與上述 第3MIS晶體管連接，上述第2MIS晶體管的柵極與上述第3MIS晶 體管連接，漏極與上述第4MIS晶體管連接，
上述第7MIS晶體管和上述第8MIS晶體管的柵極連接到字線上， 上述第5MIS晶體管的柵極連接到上述第8MIS晶體管，漏極與上述 第7MIS晶體管連接，上述第6MIS晶體管的柵極與上述第7MIS晶 體管連接，漏極與上述第8MIS晶體管連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，
還具有在上述第1靜態(tài)存儲單元的動作電壓供給點與電源線之間 具有源漏通路的第15MIS晶體管，
上述第15MIS晶體管被控制為使得在第1狀態(tài)中變成為OFF狀 態(tài)，在第2狀態(tài)中變成為ON狀態(tài)，
在從上述第2狀態(tài)向上述第1狀態(tài)變化之前，把上述第1靜態(tài)存 儲單元的信息存儲到上述第2靜態(tài)存儲單元中。
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