[發明專利]溝道式金屬氧化物半導體元件及其制作方法有效
| 申請號： | 200910007232.9 | 申請日： | 2009-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN101807546A | 公開（公告）日： | 2010-08-18 |
| 發明（設計）人： | 許修文 | 申請（專利權）人： | 尼克森微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/92;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;祁建國 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝道 金屬 氧化物 半導體 元件 及其 制作方法 | ||
1.一種溝道式金屬氧化物半導體元件的制作方法，其特征在于包括：
提供一基板；
形成一外延層于該基板上；
制作至少一柵極溝道于該外延層內；
制作一柵極介電層于該柵極溝道的內壁；
沿著該柵極溝道的內壁，沉積一第一多晶硅層，使該第一多晶硅層鄰接于 該柵極介電層；
植入一第一導電型的摻雜物至位于該柵極溝道底部的部分該第一多晶硅 層；
于該柵極溝道的中央，沉積一第二多晶硅層覆蓋該第一多晶硅層，該第二 多晶硅層摻雜有一第二導電型的摻雜物；以及
施以高溫工藝，使該第一多晶硅層與該第二多晶硅層內的摻雜物擴散，形 成一第一導電型的第一摻雜區與一第二導電型的第二摻雜區，該第一導電型的 第一摻雜區位于該柵極溝道的底部，該第二導電型的第二摻雜區與該第一導電 型的第一摻雜區之間形成一PN結電容。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于在沉積該第一多晶硅層的 步驟后，還包括形成一犧牲氧化層覆蓋該第一多晶硅層，該第一導電型的摻雜 物通過該犧牲氧化層植入該第一多晶硅層，并且，在沉積該第二多晶硅層的步 驟前，還包括移除該犧牲氧化層。
3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，該第一多晶硅層為一未 摻雜多晶硅層或是一輕摻雜多晶硅層。
4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于在形成該第一導電型的第 一摻雜區與該第二導電型的第二摻雜區的步驟后，還包括形成一金屬硅化物層 于該第二導電型的第二摻雜區的表面。
5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于在沉積該第二多晶硅層覆 蓋該第一多晶硅層的步驟后，還包括回蝕刻該第一多晶硅層與該第二多晶硅層 以形成一多晶硅柵極于該柵極溝道內。
6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，該第一導電型的第一摻 雜區的摻雜濃度與該第二導電型的第二摻雜區的摻雜濃度大致相當。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
