[發明專利]非易失性存儲裝置的編程方法

有效

• 申請號: 200910006998.5
• 申請日: 2009-02-23
• 公開（公告）號: CN101587750A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 樸成濟
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊林森;康建峰

相關申請的交叉引用

本申請要求2008年5月20日提交的韓國專利申請第 10-2008-0046603號的優先權，其全部內容通過引用結合于本申請中。

技術領域

本發明涉及對非易失性存儲裝置進行編程的方法。

背景技術

近年來，對可以被電編程和電擦除并且不需要以特定間隔改寫數據的 刷新功能的非易失性存儲裝置的需求日益增加。

非易失性存儲單元是能夠進行電編程/擦除操作的元件，并且被配置 為通過當電子由施加給薄氧化層的強電場所遷移時改變存儲單元的閾值 電壓、來進行編程和擦除操作。

非易失性存儲裝置一般包括存儲單元陣列，其中，用于存儲數據的單 元被排列成矩陣形式，并包括頁緩沖區，用于將存儲器寫入存儲單元陣列 的特定單元中、或讀取存儲在特定單元中的存儲器。頁緩沖區包括連接至 特定存儲單元的位線對和寄存器，該寄存器用于暫時存儲要被寫入存儲單 元陣列中的數據，或從存儲單元陣列讀取特定單元的數據并將讀取的數據 暫時存儲在其中。頁緩沖區還包括傳感節點，用于對特定位線或特定寄存 器的電壓電平進行感測，和位線選擇單元，用于控制是否將特定位線連接 至傳感節點。

在這種非易失性存儲裝置的編程和檢驗操作中，因為由未進行編程操 作的存儲單元塊生成了漏電流，所以產生問題。因此，出現編程不足(under program)現象，在該現象中，施加給已進行了檢驗操作的存儲單元塊的 檢驗電壓的電平被降低，因此，目標編程單元的閾值電壓被降低。

發明內容

本發明的目的在于一種對非易失性存儲裝置進行編程的方法，該方法 可以通過防止編程中檢驗電壓的下降來解決編程不足問題，并且可以對操 作進行檢驗。

根據本發明的一方面的一種對非易失性存儲裝置進行編程的方法包 括：對選擇的存儲單元塊執行編程操作，對來自包括在未選擇的存儲單元 塊中的存儲單元串的溝道的電荷進行放電，以及對所選擇的存儲單元塊執 行檢驗或驗證操作。

根據本發明的另一方面的一種非易失性存儲裝置的編程方法包括：對 所選擇的存儲單元塊執行編程操作，連接未選擇的存儲單元塊和全局字 線，將公共源極線和可變電壓輸入端子接地，以及對充電給包括在未選擇 的存儲單元塊中的存儲單元串的溝道的電荷進行放電。

附圖說明

圖1是示出了典型的非易失性存儲裝置的存儲單元塊的配置的圖；

圖2A和2B是示出了當在典型的非易失性存儲裝置中進行編程和檢 驗操作時，在未選擇的存儲單元塊中生成漏電流的現象的視圖；

圖3表示示出了在典型的非易失性存儲裝置的編程和檢驗操作中施 加給未選擇的存儲單元塊的電壓的波形；

圖4表示示出了在根據本發明的實施例的非易失性存儲裝置的編程 和檢驗操作中施加給未選擇的存儲單元塊的電壓；

圖5是示出了根據本發明的實施例、對非易失性存儲裝置進行編程的 方法的流程圖。

具體實施方式

下面將參照附圖來說明根據本發明的具體實施例。然而本發明不限于 所公開的實施例，而是可以以各種方法來實施。提供實施例來完成本發明 的公開并使得本領域的普通技術人員理解本發明的范圍。本發明由權利要 求書來限定。

圖1是示出了典型的非易失性存儲裝置的存儲單元塊的配置的圖。

非易失性存儲裝置100包括存儲單元塊140、142、144和146，用于 生成和傳送例如編程電壓、通過電壓(pass?voltage)、讀取/檢驗電壓和擦 除電壓的高電壓的高電壓發生器110，用于將從高電壓發生器110接收到 的各種高電壓傳送至全局字線GWL的全局高電壓開關單元120，以及用 于將通過全局字線GWL接收到的各種高電壓選擇性地通過局部字線 LWL而傳送至各存儲單元塊的局部高電壓開關單元130、132、134和136。

高電壓發生器110包括用于生成高電壓的泵電路(未示出)和用于將從 該泵電路輸出的高電壓調節至特定電平的調節電路(未示出)。這樣，高電 壓發生器110可以生成在編程操作、擦除操作和讀取/檢驗操作中使用的 各種高電壓。

全局高電壓開關單元120連接在高電壓發生器110和全局字線GWL 之間，并包括開關元件N120，該開關元件響應于控制信號SEL而接通。 因此，當施加了控制信號SEL時，高電壓被施加給全局字線GWL。