[發明專利]非易失性存儲裝置的編程方法有效
| 申請號： | 200910006998.5 | 申請日： | 2009-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN101587750A | 公開（公告）日： | 2009-11-25 |
| 發明（設計）人： | 樸成濟 | 申請（專利權）人： | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/10 | 分類號： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 楊林森;康建峰 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非易失性 存儲 裝置 編程 方法 | ||
1.一種對非易失性存儲裝置進行編程的方法，所述方法包括：
對選擇的存儲單元塊執行編程操作；
對來自包括在未選擇的存儲單元塊中的存儲單元串的溝道的電荷進 行放電；以及
對所述選擇的存儲單元塊執行檢驗操作，
其中所述放電包括
使連接至所述未選擇的存儲單元塊的局部高電壓開關單元導通，
將公共源極線和可變電壓輸入端子接地，以及
將通過全局字線傳送的通過電壓施加給包括在所述未選擇的存儲單 元塊中的漏極選擇晶體管和源極選擇晶體管的柵極。
2.根據權利要求1所述的編程方法，其中所述執行編程操作包括將 電源電壓施加給公共源極線和可變電壓輸入端子，并將通過全局字線傳送 的編程電壓和通過電壓傳送至所述選擇的存儲單元塊。
3.根據權利要求1所述的編程方法，其中所述執行檢驗操作包括阻 止所述未選擇的存儲單元塊和全局字線的連接并將檢驗電壓施加給所述 選擇的存儲單元塊。
4.一種對非易失性存儲裝置進行編程的方法，所述方法包括：
對選擇的存儲單元塊執行編程操作；
對來自包括在未選擇的存儲單元塊中的存儲單元串的溝道的電荷進 行放電；以及
對所述選擇的存儲單元塊執行檢驗操作，
其中所述放電包括
將所述未選擇的存儲單元塊連接至全局字線，
將公共源極線和可變電壓輸入端子接地，以及
通過全局字線將通過電壓施加給包括在所述未選擇的存儲單元塊中 的漏極選擇晶體管和源極選擇晶體管的柵極。
5.根據權利要求4所述的編程方法，其中所述執行編程操作包括將 電源電壓施加給公共源極線和可變電壓輸入端子，并將通過全局字線傳送 的編程電壓和通過電壓傳送至所述選擇的存儲單元塊。
6.根據權利要求4所述的編程方法，其中所述執行檢驗操作包括阻 止所述未選擇的存儲單元塊和全局字線的連接并將檢驗電壓施加給所述 選擇的存儲單元塊。
7.一種對非易失性存儲裝置進行編程的方法，所述方法包括：
對選擇的存儲單元塊執行編程操作；
連接未選擇的存儲單元塊和全局字線；
將公共源極線和可變電壓輸入端子接地；以及
對來自包括在所述未選擇的存儲單元塊中的存儲單元串的溝道的電 荷進行放電，
其中對來自所述存儲單元串的溝道的電荷進行放電包括：通過全局字 線將通過電壓施加給包括在所述未選擇的存儲單元塊中的漏極選擇晶體 管和源極選擇晶體管的柵極。
8.根據權利要求7所述的編程方法，還包括對所述選擇的存儲單元 塊執行檢驗操作。
9.一種對非易失性存儲裝置進行編程的方法，所述方法包括：
對選擇的存儲單元塊執行編程操作；
連接未選擇的存儲單元塊和全局字線；
將公共源極線和可變電壓輸入端子接地；以及
對來自包括在所述未選擇的存儲單元塊中的存儲單元串的溝道的電 荷進行放電，
其中對來自所述存儲單元串的溝道的電荷進行放電包括：導通包括在 所述未選擇的存儲單元塊中的漏極選擇晶體管和源極選擇晶體管。
10.根據權利要求9所述的編程方法，還包括對所述選擇的存儲單元 塊執行檢驗操作。
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