[發(fā)明專利]堆棧式多封裝構(gòu)造裝置、半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910006762.1
• 申請日: 2009-02-17
• 公開（公告）號: CN101807559A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱吉植;翁承誼;廖振凱
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)于一種堆棧式多封裝構(gòu)造裝置，更特別有關(guān)于一種堆棧式多封裝構(gòu)造裝置的下封裝構(gòu)造，其封膠化合物具有開口，可包圍且裸露出基板的電性接點。

背景技術(shù)

目前，堆棧式多封裝構(gòu)造(Package?on?Package；POP)裝置主要是指將一半導(dǎo)體封裝構(gòu)造配置于另一半導(dǎo)體封裝構(gòu)造上，其基本目的是要增加密度以在每單位空間中產(chǎn)生更大的功能性，以及更好的區(qū)域性效能，因此可降低整個堆棧式多封裝構(gòu)造裝置的總面積，同時也降低其成本。

參考圖1，美國專利第7,101,731號，標(biāo)題為“具有倒置封裝構(gòu)造堆棧在覆晶球格陣列封裝構(gòu)造的半導(dǎo)體多封裝構(gòu)造模塊(Semiconductor?multi-package?module?having?inverted?second?package?stacked?over?die-up?flip-chip?ball?grid?array(BGA)package)”，其現(xiàn)有技術(shù)揭示一種堆棧式多封裝構(gòu)造裝置50的結(jié)構(gòu)，亦即兩個堆棧的多封裝構(gòu)造模塊(Multi-Package?Module；MPM)，并經(jīng)由焊球28相互電性連接。在該堆棧式多封裝構(gòu)造裝置50中，第一封裝構(gòu)造為“上”封裝構(gòu)造20，且第二封裝構(gòu)造為“下”封裝構(gòu)造10。該上封裝構(gòu)造20堆棧在該下封裝構(gòu)造10上。

然而，已知堆棧式多封裝構(gòu)造裝置50的下封裝構(gòu)造10的下封膠化合物17并未具有任何開口，其包圍且裸露出該下封裝構(gòu)造10的上表面的該接墊11或該焊球28。因此，已知堆棧式多封裝構(gòu)造裝置50無法降低焊接后的焊料溢出風(fēng)險(solder?extrusion?risk)，進(jìn)而無法降低線路間短路的可能性。

參考圖2，目前已發(fā)展另一種已知堆棧式多封裝構(gòu)造裝置150的結(jié)構(gòu)。該堆棧式多封裝構(gòu)造裝置150包含一上封裝構(gòu)造120與一下封裝構(gòu)造110。另一種已知堆棧式多封裝構(gòu)造裝置150大體上類似于圖1的已知堆棧式多封裝構(gòu)造裝置50，類似組件標(biāo)示類似的標(biāo)號。兩者的不同處是在于該堆棧式多封裝構(gòu)造裝置裝置150的上封裝構(gòu)造120包含數(shù)個焊球128，配置該基板122的下表面的接墊上，以電性連接于該下封裝構(gòu)造110的芯片114的接墊115。該接墊115和絕緣層119兩者可稱為線路層，須經(jīng)由一種重新分配層(Redistribution?Layer；RDL)的微影蝕刻工藝而形成。由于該上封裝構(gòu)造120的焊球128插入該下封裝構(gòu)造110中，且該焊球128電性連接于該接墊115，因此該堆棧式多封裝構(gòu)造裝置150中的該上封裝構(gòu)造120及該下封裝構(gòu)造110的相互連接將可達(dá)成。

然而，已知堆棧式多封裝構(gòu)造裝置150的下封裝構(gòu)造110的下封膠化合物117亦未具有任何開口，其包圍且裸露出該接墊115或該焊球128。因此，已知堆棧式多封裝構(gòu)造裝置150無法降低焊接后的焊料溢出風(fēng)險(solder?extrusion?risk)，進(jìn)而無法降低線路間短路的可能性。

因此，便有需要提供一種堆棧式多封裝構(gòu)造裝置，能夠解決前述的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種堆棧式多封裝構(gòu)造裝置，包含一下封裝構(gòu)造及一上封裝構(gòu)造。該第一芯片固定且電性連接于該第一基板的上表面。該第一封膠化合物包覆該第一基板及第一芯片，并裸露出該第一基板的下表面，其中該第一封膠化合物包含數(shù)個開口，每一開口包圍且裸露出每一電性接點。該上封裝構(gòu)造堆棧在該下封裝構(gòu)造上，并包含一第二基板、一第二芯片及一第二封膠化合物。該第二基板具有一上表面及一下表面，該下表面相對于該上表面，且該第二基板的下表面電性連接于該第一基板的該些電性接點。該第二芯片固定且電性連接于該第二基板的上表面。該第二封膠化合物包覆該第二基板及第二芯片，并裸露出該第二基板的下表面。

根據(jù)本發(fā)明的堆棧式多封裝構(gòu)造裝置，該下封裝構(gòu)造的封膠化合物具有開口，其包圍且裸露出該下封裝構(gòu)造的基板的電性接點，用以降低焊接后的焊料溢出風(fēng)險(solder?extrusion?risk)，進(jìn)而降低線路間短路的可能性。再者，由于該開口包圍該基板的電性接點，因此可定位該基板的電性接點的預(yù)焊劑或焊球，進(jìn)而避免焊接后該上下封裝構(gòu)造之間的封裝構(gòu)造偏移(package?offset)。

為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯，下文將配合附圖，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一堆棧式多封裝構(gòu)造裝置的剖面示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)的另一種堆棧式多封裝構(gòu)造裝置的剖面示意圖。

圖3為本發(fā)明的第一實施例的堆棧式多封裝構(gòu)造裝置的剖面示意圖。