[發(fā)明專利]恒流電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910006409.3
• 申請日: 2009-02-12
• 公開（公告）號: CN101510107A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發(fā)明（設計）人: 見谷真;宇都宮文靖
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: G05F3/30
• 分類號: G05F3/30
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

技術領域

本發(fā)明涉及流過恒定電流的恒流電路。

背景技術

當前，有的半導體器件安裝有流過恒定電流的恒流電路。

對現有的恒流電路進行說明。圖3是表示現有的恒流電路的圖。

PMOS晶體管P1的K值(驅動能力)大于PMOS晶體管P2的K值，或者，NMOS晶體管N2的K值大于NMOS晶體管N1的K值。在電阻R1上產生NMOS晶體管N1與NMOS晶體管N2的柵-源間電壓差，在電阻R1上流過的電流成為恒定電流(例如，參照專利文獻1)。

對現有的低電流消耗的恒流電路進行說明。圖4是表示現有的低電流消耗的恒流電路的圖。

PMOS晶體管P1的K值大于PMOS晶體管P2的K值，或者，NMOS晶體管N2的K值大于NMOS晶體管N1的K值。通過在NMOS晶體管N1的柵極與漏極之間設置電阻R2，NMOS晶體管N2的柵電壓變低，NMOS晶體管N2在亞閾值區(qū)域工作，因此恒流電路的電流消耗減小。在電阻R1上產生從NMOS晶體管N1與NMOS晶體管N2的柵-源間電壓差減去在電阻R2上產生的電壓后的電壓，流過電阻R1的電流成為恒定電流(例如，參照專利文獻2)。

【專利文獻1】日本特許第2803291號公報(圖1)

【專利文獻2】日本特開平6-152272號公報(圖1)

但是，在NMOS晶體管N1～N2中，由于半導體器件的制造工藝，柵氧化膜厚度存在偏差，從而K值產生偏差。由此，NMOS晶體管N1與NMOS晶體管N2的柵-源間電壓差也存在偏差。于是，在電阻R1上產生的電壓有偏差，恒流電路的恒定電流也產生偏差。即，由于半導體器件的制造偏差，恒流電路的恒定電流產生偏差。

此外，由于MOS晶體管中的載流子的遷移率具有溫度系數，因此，當溫度變高時K值變低，當溫度變低時K值變高，當溫度變化時K值發(fā)生變化。從而，NMOS晶體管N1與NMOS晶體管N2的柵-源間電壓差也發(fā)生變化。于是，在電阻R1上產生的電壓會變化，恒流電路的恒定電流也發(fā)生變化。即，隨溫度變化，恒流電路的恒定電流發(fā)生變化。

從而，要謀求一種恒流電路，其對于半導體器件的制造偏差或溫度變化能夠流過穩(wěn)定的恒定電流。

發(fā)明內容

本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，提供一種能夠流過穩(wěn)定的恒定電流的恒流電路。

為解決上述課題，本發(fā)明提供一種流過恒定電流的恒流電路，其特征在于，該恒流電路具有：第二PMOS晶體管；第一PMOS晶體管，其基于上述第二PMOS晶體管的漏電流而流過漏電流；第一NMOS晶體管，在其柵極上施加基于上述第一PMOS晶體管的漏極電壓的電壓，該第一NMOS晶體管流過與上述第一PMOS晶體管的漏電流相等的漏電流；第二NMOS晶體管，在其柵極上施加基于上述第一NMOS晶體管的柵電壓的電壓，該第二NMOS晶體管流過與上述第二PMOS晶體管的漏電流相等的漏電流，具有比上述第一NMOS晶體管更低的閾值電壓；第一電阻，其設置在上述第二NMOS晶體管的源極與接地端子之間，產生基于上述第一NMOS晶體管與上述第二NMOS晶體管的閾值電壓差的電壓，流過上述恒定電流。

在本發(fā)明中，即使因半導體器件的制造偏差而使第一和第二NMOS晶體管的K值發(fā)生偏差，也由于在第一電阻上產生的電壓始終成為第一NMOS晶體管與第二NMOS晶體管的閾值電壓差，在第一電阻上產生的電壓變得幾乎沒有偏差，因而恒流電路的恒定電流也幾乎沒有偏差。

此外，即使由于溫度變化而使第一和第二NMOS晶體管的K值發(fā)生變化，也由于在第一電阻上產生的電壓始終成為第一NMOS晶體管與第二NMOS晶體管的閾值電壓差，在第一電阻上產生的電壓幾乎沒有變化，因而恒流電路的恒定電流也幾乎沒有變化。

從而，恒流電路對于半導體器件的制造偏差或溫度變化，能夠流過穩(wěn)定的恒定電流。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的恒流電路的圖。

圖2是表示第二實施方式的恒流電路的圖。

圖3是表示現有的恒流電路的圖。

圖4是表示現有的恒流電路的圖。

具體實施方式

以下，參考附圖，對本發(fā)明的實施方式進行說明。

(第一實施方式)

首先，對恒流電路的結構進行說明。圖1是表示恒流電路的圖。

恒流電路具有：啟動電路10；PMOS晶體管P1～P2；NMOS晶體管N1；NMOS晶體管LN2；以及電阻R1。