[發明專利]恒流電路無效
| 申請號： | 200910006409.3 | 申請日： | 2009-02-12 |
| 公開（公告）號： | CN101510107A | 公開（公告）日： | 2009-08-19 |
| 發明（設計）人： | 見谷真;宇都宮文靖 | 申請（專利權）人： | 精工電子有限公司 |
| 主分類號： | G05F3/30 | 分類號： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 流電 | ||
【權利要求書】：
1.一種流過恒定電流的恒流電路，其特征在于，該恒流電路具有：
第二PMOS晶體管；
第一PMOS晶體管，其基于所述第二PMOS晶體管的漏電流而流過漏電流；
第一NMOS晶體管，在其柵極上施加基于所述第一PMOS晶體管的漏電壓的電壓，該第一NMOS晶體管流過與所述第一PMOS晶體管的漏電流相等的漏電流；
第二NMOS晶體管，在其柵極上施加基于所述第一NMOS晶體管的柵電壓的電壓，該第二NMOS晶體管流過與所述第二PMOS晶體管的漏電流相等的漏電流，具有比所述第一NMOS晶體管更低的閾值電壓；
第一電阻，其設置在所述第二NMOS晶體管的源極與接地端子之間，產生基于所述第一NMOS晶體管與所述第二NMOS晶體管的閾值電壓差的電壓，流過所述恒定電流。
2.根據權利要求1所述的恒流電路，其特征在于，該恒流電路還具有：
第二電阻，其設置在所述第一NMOS晶體管的柵極與所述第二NMOS晶體管的柵極之間。
3.根據權利要求2所述的恒流電路，其特征在于，該恒流電路還具有：
啟動電路，當所述恒定電流未達到規定的電流時，該啟動電路從電源端子向所述第二NMOS晶體管的柵極注入啟動電流。
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