[發(fā)明專利]制造Ⅲ族氮化物晶體的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910006384.7 | 申請日： | 2009-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN101509146A | 公開（公告）日： | 2009-08-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 佐藤史隆;中畑成二 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B25/20;C30B33/12;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人： | 陳海濤;樊衛(wèi)民 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 氮化物 晶體 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.III族氮化物晶體制造方法，包括：
在III族氮化物襯底的一個主面上生長III族氮化物晶體的步驟， 其中至少所述III族氮化物晶體的構(gòu)成原子類型和比例、或其摻雜劑類 型和濃度與所述III族氮化物襯底不同；以及
通過氣相腐蝕除去所述III族氮化物襯底的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的III族氮化物晶體制造方法，其中通過在 所述III族氮化物襯底的另一個主面上噴射腐蝕氣體來進行所述氣相腐 蝕。
3.如權(quán)利要求1所述的III族氮化物晶體制造方法，其中所述氣 相腐蝕使用選自HCl氣體、Cl2氣體和H2氣體中的至少一種氣體作為 腐蝕氣體。
4.如權(quán)利要求1所述的III族氮化物晶體制造方法，其中所述III 族氮化物晶體的生長溫度和所述氣相腐蝕的腐蝕溫度之差為200℃以 下。
5.如權(quán)利要求1所述的III族氮化物晶體制造方法，其中在所述 氣相腐蝕中的腐蝕溫度為700℃以上。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于住友電氣工業(yè)株式會社，未經(jīng)住友電氣工業(yè)株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910006384.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：具有補償調(diào)節(jié)裝置的摩擦離合器
- 下一篇：鎂元件的涂敷
