[發明專利]發光元件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910006368.8
• 申請日: 2009-02-16
• 公開（公告）號: CN101807630A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 徐宸科;蘇文正;莊家銘;歐震
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陶鳳波

1.一種發光元件的制造方法，其步驟至少包含：

提供基板，其中該基板具有第一主要表面與第二主要表面；

形成多個發光疊層于該基板的第一主要表面上；

形成蝕刻保護層于該些發光疊層上；

以不連續性激光在該基板形成多個不連續的孔洞；

蝕刻該多個不連續的孔洞；以及

沿著該多個不連續的孔洞劈裂該基板。

2.如權利要求1所述的發光元件制造方法，還包含移除該蝕刻保護層的步驟。

3.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中形成該發光疊層的步驟，至少包含：

形成第一導電型半導體層于該基板的第一主要表面上；

形成有源層于該第一導電型半導體層上；

形成第二導電型半導體層于該有源層上；

利用光刻蝕刻技術蝕刻該第一導電型半導體層、該有源層以及該第二導電型半導體層，以形成多個為臺狀結構的發光疊層。

4.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中蝕刻該多個不連續的孔洞的步驟是在攝氏100至300的溫度條件以蝕刻液蝕刻10至50分鐘。

5.如權利要求4所述的發光元件制造方法，其中該蝕刻液為硫酸與磷酸的成分比為3∶1的溶液或磷酸溶液。

6.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該蝕刻保護層的材料為SiO₂或SiN_x。

7.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該以不連續性激光在該基板形成多個不連續的孔洞的步驟中，該不連續性激光為點發式激光。

8.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該以不連續性激光于該基板形成多個不連續的孔洞的步驟中，該孔洞形成于該第一主要表面或該第二主要表面。

9.如權利要求1所述的發光元件制造方法，還包含形成至少一電極于該發光疊層上的步驟。

10.如權利要求9所述的發光元件制造方法，還包含形成透明導電氧化層于該發光疊層與該電極間的步驟。

11.一種發光元件，至少包含：

基板，其中該基板具有至少一第一主要表面、一第二主要表面以及一側壁；

發光疊層，位于該基板上，其中該基板的側壁至少包含至少一第一結構面與至少一第二結構面，該第一結構面為實質不平整表面，而該第二結構面為實質平整表面。

12.如權利要求11所述的發光元件，其中該第一結構面的結構為凹凸結構。

13.如權利要求12所述的發光元件，其中該凹凸結構具有的延伸方向為縱向方向。

14.如權利要求12所述的發光元件，該凹凸結構的延伸方向由該第一主要表面朝向該第二主要表面延伸、由該第一主要表面朝向遠離該第一主要表面的方向延伸或由該第二主要表面朝向遠離該第二主要表面的方向延伸。

15.如權利要求12所述的發光元件，其中該凹凸結構的延伸方向實質平行于該基板主要表面的法線方向。

16.如權利要求11所述的發光元件，其中該第一結構面形成于該基板側壁靠近該第一主要表面處或靠近該第二主要表面處。

17.如權利要求11所述的發光元件，該第一結構面形成于該基板側壁上，其中該第一結構面上下皆是該第二結構面。