[發明專利]發光元件及其制造方法無效
| 申請號: | 200910006368.8 | 申請日: | 2009-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN101807630A | 公開(公告)日: | 2010-08-18 |
| 發明(設計)人: | 徐宸科;蘇文正;莊家銘;歐震 | 申請(專利權)人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種發光元件,特別是涉及一種關于發光元件的基板的側壁,該基板的側壁至少包含一第一結構面與一第二結構面,其中第一結構面為實質平整表面而第二結構面為實質不平整表面的發光元件及其制造方法。
背景技術
發光二極管(light-emitting?diode,LED)的發光原理是利用電子在n型半導體與p型半導體間移動的能量差,以光的形式將能量釋放,這樣的發光原理有別于白熾燈發熱的發光原理,因此發光二極管被稱為冷光源。此外,發光二極管具有高耐久性、壽命長、輕巧、耗電量低等優點。因此現今的照明市場對于發光二極管寄予厚望,將其視為新一代的照明工具,已逐漸取代傳統光源,并且應用于各種領域,如交通標志、背光模塊、路燈照明、醫療設備等。
圖1為已知的發光元件結構示意圖,如圖1所示,已知的發光元件100,包含有透明基板10、位于透明基板10上的半導體疊層12,以及位于上述半導體疊層12上的至少一電極14,其中上述的半導體疊層12由上而下至少包含第一導電型半導體層120、有源層122,以及第二導電型半導體層124。
此外,上述的發光元件100還可以進一步地與其他元件組合連接以形成發光裝置(light-emitting?apparatus)。圖2為已知的發光裝置結構示意圖,如圖2所示,發光裝置200包含具有至少一電路202的次載體(sub-mount)20;位于上述次載體20上的至少一焊料(solder)22,通過此焊料22將上述發光元件100粘結固定于次載體20上并使發光元件100的基板10與次載體20上的電路202形成電連接;以及,電性連接結構24,以電性連接發光元件100的電極14與次載體20上的電路202;其中,上述的次載體20可以是導線框架(lead?frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting?substrate),以方便發光裝置200的電路規劃并提高其散熱效果。
然而,如圖1所示,在已知的發光元件100中,由于透明基板10的表面為平整表面,且透明基板10的折射率與外部環境的折射率不同,因此有源層122所發出的光線A由基板進入外部環境時,容易形成全反射(TotalInternal?Reflection,TIR),造成發光元件100的光摘出效率降低。
發明內容
本發明的主要目的是提供一種發光元件,至少包含基板,其中基板具有至少一側壁,此側壁至少包含一第一結構面與一第二結構面,第一結構面為實質平整表面,而第二結構面為實質不平整表面;以及位于基板上的發光疊層。
本發明的另一目的在于提供發光元件,至少包含基板,其中基板具有至少一側壁,此側壁包含至少由一第一結構面與一第二結構面所組成的實質不連續結構,第一結構面為實質平整表面,而第二結構面為實質不平整表面;以及發光疊層,位于基板上。通過基板側壁的實質不連續結構以提高發光元件的光摘出效率。
本發明的再一目的在于提供發光元件的制造方法,步驟包含提供基板,此基板具有第一主要表面與第二主要表面;形成半導體外延層于基板的第一表面上;形成蝕刻保護層于半導體外延層上;以不連續性激光在基板上形成多個不連續的孔洞;蝕刻多個不連續的孔洞;以及沿著多個不連續的孔洞劈裂,以形成發光元件。
附圖說明
圖1為已知的發光元件結構示意圖。
圖2為已知的發光裝置結構示意圖。
圖3A至圖3I為本發明制造流程結構示意圖。
圖4為本發明實施例的結構示意圖。
圖5為本發明另一實施例結構示意圖。
圖6為本發明又一實施例結構示意圖。
圖7為本發明實施例的掃描式電子顯微鏡微結構圖。
附圖標記說明
100:發光元件?????10:透明基板
12:半導體疊層??????????????14:電極
120:第一導電型半導體層?????122:有源層
124:第二導電型半導體層?????200:發光裝置
20:次載體??????????????????202:電路
22:焊料????????????????????24:電性連接結構
30:基板????????????????????302:第一主要表面
304:第二主要表面???????????306:側壁
32:半導體疊層??????????????320:第一導電型半導體層
322:有源層?????????????????324:第二導電型半導體層
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于晶元光電股份有限公司,未經晶元光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910006368.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





