[發明專利]電子裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200910006108.0
• 申請日: 2009-01-23
• 公開（公告）號: CN101552216A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: I·尼基廷;M·門格爾;G·比爾;H·尤厄
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485;H01L25/07
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 范曉斌

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置和制造半導體裝置的方法。

背景技術

隨著半導體裝置中功能集成水平的提高，半導體輸入/輸出通道的 數目持續增加。同時，高頻應用需要縮短信號通道長度、提高散熱性 能、降低內部歐姆電阻、增強魯棒性、以及降低制造成本。這給半導 體裝置中的硅芯片的封裝方式帶來重大的挑戰。

發明內容

因此，本發明提供一種制造電子裝置的方法，該方法包括：將第 一芯片布置在載體上；在第一芯片和載體上敷絕緣層；向絕緣層敷金 屬離子溶液以制作具有第一厚度的第一金屬層；以及在絕緣層上制作 具有第二厚度的第二金屬層，其中，第一金屬層和第二金屬層中的至 少一個的至少一部分與對應的另一個金屬層橫向間隔開。

附圖說明

附圖提供對本發明的進一步的理解，并構成本說明書的一部分。 圖中描述了本發明的各種實施例，其與文字一起解釋了本發明的原理。 本發明的其它實施例和許多期望的優點將會很容易被了解，因為通過 參考下面的詳細描述將使它們變得更加容易理解。附圖中各元件彼此 不必成比例。相似的附圖標記代表對應相似的部件。

圖1A-1D示意性地公開了制造電子裝置的方法的第一個實施例。

圖2A和2B示意性地公開了按照圖1A-1D中的方法制造出來的半導 體裝置的橫截面圖。

圖3A-3F示意性地公開了制造電子裝置的方法的又一個實施例，其 使用激光制作第一結構和第二結構。

圖4A-4F示意性地公開了制造電子裝置的方法的又一個實施例，其 使用導電液制作第一結構和第二結構。

圖5A-5E示意性地公開了制造電子裝置的方法的又一個實施例，其 在制作第二金屬層之前，將第一金屬層掩膜。

圖6A-6E示意性地公開了制造電子裝置的方法的又一個實施例，其 中第一金屬層為連接到第一芯片(如功率芯片)上的厚金屬層，第二 金屬層為連接到第二芯片(如邏輯芯片)上的薄金屬層。

圖7A示意性地公開了一種電子裝置，其具有連接到兩個功率芯片 上的具有第一厚度(厚)的第一金屬層和連接到邏輯芯片上的具有第 二厚度(薄)的第二金屬層。

圖7B-7E示意性地公開了制造圖7A所公開的電子裝置的制造方法。

圖8A-8C示意性地公開了制造電子裝置的方法的又一個實施例，其 中載體為銅片。

圖9A-9D示意性地公開了制造電子裝置的方法的又一個實施例，其 中載體為帶或箔片。

具體實施方式

盡管圖中顯示的和本文所描述的都是具體的實施例，但是本領域 技術人員仍可以意識到在不脫離本發明范圍的情況下有各種可選擇的 和/或等同的手段可以替代這些具體的實施例。總地講，本申請意圖包 括本文所討論的具體實施例的任何改變或變形。因此，意圖使本發明 僅受到權利要求及其等同物的限制。

圖1A-1D通過處于不同制造步驟的被處理電子裝置的頂視圖公開 了制造電子裝置的方法的一個實施例。圖1A公開了載體2和布置在該載 體上的第一芯片6。載體2可為任何適于承載芯片的類型。例如，載體2 可為芯片附著在其上(例如通過膠粘、或焊接)的盤或結構。載體2也 可用導電材料(例如，銅金屬)制成，也可用電絕緣材料(例如陶瓷 或塑料)制成，也可用導電層與絕緣層相交替的層壓材料制成，也可 用箔片或帶制成等等。此外，載體2的形狀可為盤、帶、引線框條、晶 圓等等。另外，載體2可由單個載體的陣列組成，每個載體上均布置一 個或幾個芯片。在這種情況下，可以并行地對每個芯片實施制造電子 裝置的方法(批量模式)。下面將更加詳細地介紹具有不同載體類型 的電子裝置的不同實施例。

芯片6可為任何類型的半導體芯片。該芯片可以包括例如集成電 路、傳感器元件(如壓力傳感器、加速度傳感器、氣體傳感器)，光 電元件(如光電二極管)、光學有源元件(如激光)等等。如下面所 示的，實施例可以包括半導體芯片，這些半導體芯片具有用來轉換高 電流和/或高電壓的功率晶體管。例如，芯片6可包括一個或幾個絕緣 柵雙極晶體管(IGBT)，每個絕緣柵雙極晶體管都具有位于芯片一面 上的源極和位于芯片的相對面上的漏極。這樣的芯片可以控制10A或以 上的電流，并能承受高達1000V或以上的電壓。