[發明專利]電子裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200910006108.0
• 申請日: 2009-01-23
• 公開（公告）號: CN101552216A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: I·尼基廷;M·門格爾;G·比爾;H·尤厄
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485;H01L25/07
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 范曉斌

1.一種制造電子裝置的方法，其包括：

將第一芯片布置在載體上；

在第一芯片和載體上敷絕緣層；

向絕緣層敷金屬離子溶液以制作具有第一厚度的第一金屬層；和

在絕緣層上制作具有第二厚度的第二金屬層，其中第一金屬層和 第二金屬層中的至少一個的至少一部分與對應的第一金屬層和第二 金屬層中的另一個橫向間隔開。

2.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，其中，第二金屬層 是通過向絕緣層敷金屬離子溶液來制作的。

3.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，其中，第二金屬層 是在制作第一金屬層之后制作的。

4.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，進一步包括在絕緣 層上制作用于制作第一金屬層的第一結構。

5.如權利要求4所述的制造電子裝置的方法，進一步包括在絕緣 層上制作用于制作第二金屬層的第二結構。

6.如權利要求5所述的制造電子裝置的方法，其中，第二結構是 在制作第一金屬層之后制作的。

7.如權利要求5所述的制造電子裝置的方法，其中：利用噴墨、 塞印刷、漏板印刷、網印、針滴涂和選擇性噴涂，通過用激光照射絕 緣層、選擇性地敷導電液和選擇性地除去敷在絕緣層上的導電層的區 域的方式中的至少一種制作第二結構。

8.如權利要求4所述的制造電子裝置的方法，其中，第二金屬層 是通過對第一結構的選擇性區域敷金屬離子溶液制作的。

9.如權利要求4所述的制造電子裝置的方法，其中：利用噴墨、 塞印刷、漏板印刷、網印、針滴涂和選擇性噴涂，通過用激光照射絕 緣層、選擇性地敷導電液和選擇性地除去敷在絕緣層上的導電層的區 域的方式中的至少一種制作第一結構。

10.如權利要求4所述的制造電子裝置的方法，其中，在敷金屬 離子溶液的同時在該金屬離子溶液和第一結構之間施加電壓。

11.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，進一步包括將至 少一個第二芯片布置在載體上。

12.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，其中：利用液相 淀積、化學氣相淀積、物理氣相淀積、等離子氣相淀積、噴涂、針滴 涂、旋鍍和浸鍍方式中的至少一種敷絕緣層。

13.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，進一步包括制作 穿過絕緣層的通孔。

14.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，進一步包括將第 一芯片焊到載體上。

15.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，進一步包括用模 塑化合物覆蓋第一芯片。

16.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，其包括：

用激光照射絕緣層以制作第一結構；

向第一結構敷金屬離子溶液以制作第一金屬層；

在制作第一金屬層之后，用激光照射絕緣層以制作第二結構；以 及

向第二結構敷金屬離子溶液以制作第二金屬層。

17.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，其包括：

向絕緣層選擇性地敷導電液以制作第一結構；

向第一結構敷金屬離子溶液以制作第一金屬層；以及

在制作第一金屬層之后，向絕緣層選擇性地敷導電液以制作第二 金屬層，該第二金屬層的至少一部分與第一金屬層橫向間隔開。

18.如權利要求1所述的制造電子裝置的方法，其包括：

在絕緣層上制作第一結構；

向第一結構敷金屬離子溶液以制作第一金屬層；

掩膜第一結構；以及

向掩模后的第一結構敷金屬離子溶液以制作第二金屬層，該第二 金屬層的至少一部分與第一金屬層橫向間隔開。