[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列面板及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910005853.3
• 申請(qǐng)日: 2009-02-05
• 公開（公告）號(hào): CN101667572A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳春基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/786;H01L21/82;H01L21/027;G02F1/1362
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 陳長(zhǎng)會(huì)

本申請(qǐng)要求韓國(guó)專利申請(qǐng)10-2008-0087372的優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)于 2008年9月4日提交，并且所有權(quán)益依照35U.S.C.§119產(chǎn)生，其全部?jī)?nèi) 容通過(guò)引用結(jié)合在此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種薄膜晶體管陣列面板和用于制造所述薄膜晶體管陣 列面板的方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管用作開關(guān)元件，以獨(dú)立驅(qū)動(dòng)平板顯示器，例如液晶顯示器 或有機(jī)發(fā)光器件中的每個(gè)像素。薄膜晶體管陣列面板包括：薄膜晶體管、 用于向薄膜晶體管傳輸掃描信號(hào)的掃描信號(hào)線(或柵極線)、和用于傳輸數(shù) 據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線，以及電連接到薄膜晶體管的像素電極。

為了形成薄膜晶體管陣列面板，需要數(shù)次光刻加工，并且每一次光刻 加工可能包括幾十至幾百個(gè)步驟，因此，如果光刻加工的次數(shù)增加，將增 加加工時(shí)間和成本。因此，已提出了各種減少光刻加工的次數(shù)的方法，然 而，存在涉及減少光刻加工的次數(shù)的問(wèn)題，因而難以減少其次數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

通過(guò)一種薄膜晶體管陣列面板減輕了前述的和其它的缺點(diǎn)，所述薄膜 晶體管陣列面板包括：襯底；第一柵極線，所述第一柵極線被設(shè)置在所述 襯底上并包括柵極電極；存儲(chǔ)電極，所述存儲(chǔ)電極被設(shè)置在與所述第一柵 極線的層相同的層中；柵極絕緣層，所述柵極絕緣層被設(shè)置在所述第一柵 極線和所述存儲(chǔ)電極上；半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體被設(shè)置在所述柵極絕緣層上 并包括溝道部分；數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線被設(shè)置在所述半導(dǎo)體上并包括源極 電極；漏極電極，所述漏極電極被設(shè)置在所述半導(dǎo)體上，并面向所述源極 電極；鈍化層，所述鈍化層被設(shè)置在所述柵極絕緣層、所述數(shù)據(jù)線和所述 漏極電極上，所述鈍化層包括使一部分所述漏極電極暴露的接觸孔；以及 像素電極，所述像素電極被設(shè)置在所述鈍化層上，并經(jīng)由所述接觸孔電連 接到所述漏極電極，其中所述柵極絕緣層和所述鈍化層置于所述像素電極 和所述襯底之間除對(duì)應(yīng)所述接觸孔的區(qū)域以外的區(qū)域，并且其中所述像素 電極經(jīng)由所述柵極絕緣層和所述鈍化層與所述存儲(chǔ)電極交疊。

在一個(gè)實(shí)施方案中，所述存儲(chǔ)電極可以包括平行于所述第一柵極線， 并傳輸柵極信號(hào)的第二柵極線的一部分。

在一個(gè)實(shí)施方案中，鈍化層還可以包括使第一柵極線端部暴露的第一 開口，和使數(shù)據(jù)線端部暴露的第二開口，并且其中薄膜晶體管陣列還可以 包括：第一接觸輔助部(assistant)，所述第一接觸輔助部被設(shè)置在所述第一 開口中，并電連接到所述第一柵極線的所述端部；以及第二接觸輔助部， 所述第二接觸輔助部被設(shè)置在所述第二開口中，并電連接到所述數(shù)據(jù)線的 所述端部。

在一個(gè)實(shí)施方案中，第一接觸輔助部還可以與所述第一柵極線的所述 端部周圍的襯底接觸，并且第二接觸輔助部還可以與所述數(shù)據(jù)線的所述端 部周圍的襯底接觸。

在一個(gè)實(shí)施方案中，半導(dǎo)體除溝道部分以外的平面形狀可以與數(shù)據(jù)線 和漏極電極的平面形狀相同。

在一個(gè)實(shí)施方案中，存儲(chǔ)電極可以包括平行于第一柵極線，并傳輸柵 極信號(hào)的第二柵極線的一部分。

在一個(gè)實(shí)施方案中，鈍化層還可以包括使第一柵極線端部暴露的第一 開口，和使數(shù)據(jù)線端部暴露的第二開口，并且其中薄膜晶體管陣列面板還 可以包括：第一接觸輔助部，所述第一接觸輔助部被設(shè)置在所述第一開口 中，并電連接到所述第一柵極線的所述端部；以及第二接觸輔助部，所述 第二接觸輔助部被設(shè)置在所述第二開口中，并電連接到所述數(shù)據(jù)線的所述 端部。

在一個(gè)實(shí)施方案中，第一接觸輔助部還可以與所述第一柵極線的所述 端部周圍的襯底接觸，并且第二接觸輔助部還可以與所述數(shù)據(jù)線的所述端 部周圍的襯底接觸。