[發明專利]薄膜晶體管陣列面板及其制造方法

無效

• 申請號: 200910005853.3
• 申請日: 2009-02-05
• 公開（公告）號: CN101667572A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 柳春基
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/82;H01L21/027;G02F1/1362
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 陳長會

1.一種薄膜晶體管陣列面板，其包括：

襯底；

第一柵極線，所述第一柵極線被設置在所述襯底上并包括柵極電極；

存儲電極，所述存儲電極被設置在與所述第一柵極線的層相同的層 中；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層被設置在所述第一柵極線和所述存儲電 極上；

半導體，所述半導體被設置在所述柵極絕緣層上并包括溝道部分；

數據線，所述數據線被設置在所述半導體上并包括源極電極；

漏極電極，所述漏極電極被設置在所述半導體上，并面向所述源極電 極；

鈍化層，所述鈍化層被設置在所述柵極絕緣層、所述數據線和所述漏 極電極上，所述鈍化層包括使一部分所述漏極電極暴露的接觸孔；以及

像素電極，所述像素電極被設置在所述鈍化層上，并經由所述接觸孔 電連接到所述漏極電極，

其中所述柵極絕緣層和所述鈍化層置于所述像素電極和所述襯底之 間除對應所述接觸孔的區域以外的區域，并且

其中所述像素電極經由所述柵極絕緣層和所述鈍化層與所述存儲電 極交疊。

2.權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，

其中所述存儲電極包括平行于所述第一柵極線，并傳輸柵極信號的第 二柵極線的一部分。

3.權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，

其中所述鈍化層還包括使所述第一柵極線的端部暴露的第一開口，和 使所述數據線的端部暴露的第二開口，并且

其中所述薄膜晶體管陣列面板還包括：

第一接觸輔助部，所述第一接觸輔助部被設置在所述第一開口中，并 電連接到所述第一柵極線的所述端部；以及

第二接觸輔助部，所述第二接觸輔助部被設置在所述第二開口中，并 電連接到所述數據線的所述端部。

4.權利要求3所述的薄膜晶體管陣列面板，

其中所述第一接觸輔助部還與所述第一柵極線的所述端部周圍的襯 底接觸，并且所述第二接觸輔助部還與所述數據線的所述端部周圍的襯底 接觸。

5.權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，

其中所述半導體除所述溝道部分以外的平面形狀與所述數據線和所 述漏極電極的平面形狀相同。

6.權利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，

其中所述存儲電極包括平行于所述第一柵極線，并傳輸柵極信號的第 二柵極線的一部分。

7.權利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，

其中所述鈍化層還包括使所述第一柵極線的端部暴露的第一開口，和 使所述數據線的端部暴露的第二開口，并且

其中所述薄膜晶體管陣列面板還包括：

第一接觸輔助部，所述第一接觸輔助部被設置在所述第一開口中，并 電連接到所述第一柵極線的所述端部；以及

第二接觸輔助部，所述第二接觸輔助部被設置在所述第二開口中，并 電連接到所述數據線的所述端部。

8.權利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，

其中所述第一接觸輔助部還與所述第一柵極線的所述端部周圍的襯 底接觸，并且所述第二接觸輔助部還與所述數據線的所述端部周圍的襯底 接觸。