[發明專利]半導體器件有效
| 申請號: | 200910005615.2 | 申請日: | 2009-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN101567350A | 公開(公告)日: | 2009-10-28 |
| 發明(設計)人: | 坂本吉史 | 申請(專利權)人: | OKI半導體株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/485 | 分類號: | H01L23/485;H01L23/544;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 雒運樸;李 偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 | ||
技術領域
本發明涉及半導體器件,特別是涉及具有晶片級芯片尺寸封裝 (W-CSP)結構的半導體器件。
背景技術
近年的以帶照相功能的移動電話或數字照相機為代表的信息設備的小 型化、高密度、高功能化顯著發展。作為實現在這些設備上搭載的CCD 或CMOS等攝像元件的小型化的技術,公知有實現與芯片尺寸相同的封裝 的晶片級芯片尺寸封裝(以下稱作W-CSP)。
W-CSP是在晶片狀態下完成全部的組裝工序的新概念的封裝。W-CSP 與FBGA(FinePitchBallGridArray)同樣,在封裝的反面具有把端子排 列為格子狀的外形形狀,封裝尺寸與芯片尺寸大致相同。
在圖1表示使用W-CSP技術制作的圖像傳感器30的截面結構。在由 硅等構成的圖像傳感器芯片4的正面形成受光部3。受光部3由配置為矩 陣狀的光電二極管和電荷耦合元件(CCD)構成。在受光部3的正面層疊 微透鏡陣列3a。在圖像傳感器芯片4的正面形成與受光部3電連接的焊盤 9。在焊盤9各個中電連接有貫通圖像傳感器芯片4并到達下面的貫通電極 10。在貫通電極10和硅芯片之間設置使兩者之間絕緣的絕緣膜11。在圖 像傳感器芯片的反面形成反射防止膜23,在其開口部中形成與貫通電極10 連接的反面布線13。焊錫凸起12在圖像傳感器芯片4的反面側與反面布 線13電連接。通過使用焊錫凸起12進行回流焊,將圖像傳感器30安裝在 安裝基板上。在圖像傳感器芯片4上,隔著間隙形成玻璃罩6。圖像傳感 器芯片上的空隙由包圍受光部3的外周的方式形成的隔離塊5形成。隔離 塊5和玻璃罩6的接合由粘接劑20進行。
通過這樣用W-CSP構成圖像傳感器,不僅能實現裝置的小型化、輕 量化,不必通過在無塵室內使用倒裝片焊接那樣的高成本的個別安裝方 式,就能通過一般的回流焊,即可向安裝基板進行安裝。
專利文獻1:日本特開2007-184680號公報
專利文獻2:日本特開2006-73852號公報
一般,在半導體器件的制造工序中,在封裝的正面或反面使用激光器 描畫來進行用于表示產品名稱或制造時間、制造批次和特性等的文字、數 字和記號等激光印字。由激光印字形成的印字標記,在把半導體器件在安 裝基板安裝時作為用于防止異種元件的混入的識別標記、用裝配機裝配時 的位置識別標記使用,此外,發生問題時用于制造流程的追蹤等??墒牵? 在以盡可能縮小封裝尺寸為目的的W-CSP中,激光印字引起的弊端令人 擔心。
即在W-CSP中,從印字面到半導體芯片正面的距離極短,所以有時 由于印字標記的形成,使反面布線露出,或者由于激光的熱量使反面布線 熔化,有可能引起絕緣不良。此外,在具有圖像傳感器那樣的受光部的器 件中,在受光區域無法形成印字標記。在W-CSP中,由于該封裝的特點, 能通過激光印字形成印字標記的區域非常有限,不容易設置印字區。
發明內容
本發明是鑒于所述問題而提出的,其目的在于,提供在W-CSP那樣 的封裝尺寸與半導體芯片大致相同的半導體器件中,能確保更寬的印字區 的半導體器件的結構。
本發明的半導體器件包含矩形的半導體基板、形成在所述半導體基板 的正面的多個正面電極、在所述半導體基板的內部從所述半導體基板的反 面到達所述各正面電極的多個貫通孔、覆蓋所述貫通孔各自的內壁的導電 體、設置在所述半導體基板的反面并且與所述導電體連接的反面布線網、 覆蓋所述反面布線網的絕緣膜、形成在所述絕緣膜上的具有印字標記的印 字區,其特征在于:所述印字區的外緣在平行于所述印字標記形成面的方 向從所述反面布線網分開,并且與所述半導體基板的外緣一致。
附圖說明
圖1是以往的具有W-CSP結構的圖像傳感器的剖面結構圖。
圖2是本發明實施例的圖像傳感器的剖面結構圖。
圖3是本發明實施例的圖像傳感器的剖面結構圖。
圖4是本發明實施例的圖像傳感器的反面側的俯視圖。
圖5是比較印字區的配置和印字區的面積的圖。
圖6是表示本發明實施例的圖像傳感器的制造工序的剖面圖。
圖7是表示本發明實施例的圖像傳感器的制造工序的剖面圖。
圖8是本發明另一實施例的圖像傳感器的剖面圖。
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