[發明專利]一種晶舟

無效

• 申請號: 200910005592.5
• 申請日: 2009-02-06
• 公開（公告）號: CN101800185A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發明（設計）人: 王愛進
• 申請（專利權）人: 和艦科技(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/324
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種晶舟。

背景技術

目前，高溫氧化爐管運送晶片的方式為批量進行，每批150片，放置于垂直的晶舟1上，圖1所示為晶舟1的各視圖，其中圖1(a)是晶舟1的俯視圖，圖1(b)是沿圖中所示X方向看到的晶舟1的側視圖；圖1(c)是沿圖中所示Y方向看到的晶舟1的側視圖；圖1(d)是本晶舟1的后視圖，圖1(d)中的四個方塊31、32、33、34分別對應圖1(a)中的四個圓形31、32、33、34，表示的是晶舟的晶棒3。圖1(a)中標號2所示的是用于將晶片放置于晶舟中所用的傳送裝置，其具體形狀如圖2所示，同時晶舟上設有插入口9，以便傳送裝置能夠由此插入晶舟1。圖1(c)中標號4所示的是被運送的晶片。將晶片4放置于晶舟1后，晶舟1上升至反應室5中進行反應，反應室5如圖3所示。

晶舟1上升至反應室5的過程如圖4所示。由于承載晶片4的晶舟1在上升過程中受到溫度(反應室內外溫差)和上升速度的影響，使得晶片4產生一定的形變，從而與晶舟1的晶棒3的接觸點產生位移，從而摩擦導致顆粒的產生。

圖5所示是晶片發生形變和晶棒顆粒的原理圖，當晶片4隨著晶舟1進入到反應室5中時，在靠近入口處，晶片4受到爐管內的輻射熱的作用，如圖5(b)中箭頭所示，且輻射熱射到下面的晶片4時，晶片4的表面會將熱量進行反射，反射到上面的晶片4上，上面的晶片4的下表面再次反射，如此反復，每個晶片4的上下表面都受到強熱輻射，使得晶片4的中部向上彎曲變形；在進入到爐管內部時，上述輻射更加強烈，如圖5(c)所示，晶片4的向上變形也更加明顯。因為晶片4受熱變形，晶片4兩端與晶舟1上的晶棒3接觸的端部將產生位移，此位移將導致晶片4產生顆粒。

目前垂直高溫氧化爐管顆粒問題主要是一種特殊形狀的顆粒，在晶舟固定位置(3點/5點/7點/9點附近)出現聚積狀顆粒，稱為“類晶舟”顆粒，圖6所示是“類晶舟”顆粒的示意圖，經統計知其發生率大概為1.88％。

發明內容

本發明的目的在于克服上述問題，提供一種晶舟。

本發明所述的一種晶舟包含：頂板；底板；固定于上述頂板和底板之間的三個晶棒，且上述三個晶棒的分布呈圓形；上述多個晶棒上形成有多個槽，且不同晶棒上的各槽的高度分別對應相等，形成用以水平支撐晶片的支撐部；以及插入口，通過上述插入口將晶片送入上述晶舟內，上述插入口與上述各支撐部位于同一高度。

上述呈圓形地分布的三個晶棒分別是第一、第二和第三晶棒，其中第一、第二晶棒位于所在圓形的同一直徑上，第三晶棒位于與上述直徑的夾角為30～150度的直徑上。

上述呈圓形地分布的晶棒是三個，其中第一、第二晶棒位于所在圓形的同一直徑上，第三晶棒位于垂直于上述直徑的直徑上。

上述插入口的中心位于上述第三晶棒所在直徑與上述圓形的另一交點處。

上述晶棒的截面是圓形、半圓形、橢圓形、三角形中的一種。

上述晶棒的截面是圓形。

本發明可以有效地改善“類晶舟”顆粒，而且本發明通過減少晶棒的數目使得熱量更能均勻的分布在晶片表面，從而間接地改善了晶片的受熱均勻度。

附圖說明

圖1(a)是現有晶舟的俯視圖；

圖1(b)是圖1(a)中的晶舟沿X向的側視圖；

圖1(c)是圖1(a)中的晶舟沿Y向的側視圖；

圖1(d)是圖1(a)中的晶舟的后視圖；

圖2是晶片傳送裝置的示意圖；

圖3是反應室的示意圖；

圖4是晶舟上升至反應室的過程示意圖；

圖5是晶片產生形變和晶棒顆粒的原理圖；

圖6是“類晶舟”顆粒的示意圖；

圖7(a)是本發明的優選實施例的俯視圖；

圖7(b)是圖7(a)中的晶舟沿Y向的側視圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例，對本發明所述的一種晶舟作進一步的詳細說明。

本發明的晶舟具有頂板7、底板8、以及固定于該頂板和底板之間的晶棒3，并在晶棒上形成有多個槽，各晶棒上的槽的高度分別對應相等，從而在各槽之間形成支撐部，用以水平地支撐晶片4，其中，上述晶棒3具有兩個以上，在本發明的優選實施例中是三個，且他們呈圓筒狀地配置，如圖7中35、36、37所示，晶片4由傳送裝置2承載并通過插入口9從上述晶棒3的槽插入，通過呈圓形設置的各支撐部沿著支撐著。上述傳送裝置2的插入口9與上述支撐部的位置位于同一高度。