[發(fā)明專利]改性聚鋁硅氧烷無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910004596.1 | 申請日： | 2009-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN101525437A | 公開（公告）日： | 2009-09-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 片山博之;赤澤光治 | 申請（專利權(quán)）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C08G77/398 | 分類號： | C08G77/398;H01L23/29;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉蘭;孫秀武 |
| 地址： | 日本大阪府茨*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改性 聚鋁硅氧烷 | ||
1.光半導(dǎo)體元件封裝材料，其含有通過使式(I)表示的硅烷偶聯(lián)劑 與聚鋁硅氧烷反應(yīng)而得到的改性聚鋁硅氧烷，
式中，R1、R2及R3，分別獨(dú)立地表示烷基或烷氧基，X表示甲基丙烯 酰氧基、環(huán)氧丙氧基、氨基、乙烯基或巰基，其中，R1、R2及R3之中，至 少2者為烷氧基。
2.權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體元件封裝材料，式(I)的X為甲基丙 烯酰氧基或環(huán)氧丙氧基。
3.權(quán)利要求1或2所述的光半導(dǎo)體元件封裝材料，硅烷偶聯(lián)劑用式 (II)：
或式(III)表示：
4.權(quán)利要求1-3的任一項(xiàng)所述的光半導(dǎo)體元件封裝材料，聚鋁硅氧烷 具有式(IV)和/或式(V)表示的結(jié)構(gòu)單元，末端部分為-OH，
式(IV)中，m表示40-155的整數(shù)，
式(V)中，n表示40-155的整數(shù)。
5.光半導(dǎo)體裝置，其由使用權(quán)利要求1-4的任一項(xiàng)所述的光半導(dǎo)體元 件封裝材料封裝光半導(dǎo)體元件而成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日東電工株式會社，未經(jīng)日東電工株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910004596.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
