[發明專利]垂直配向式像素結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200910004546.3
• 申請日: 2009-03-05
• 公開（公告）號: CN101826530A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 藍志杰
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336;G02F1/1362
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種垂直配向式像素結構，其特征在于：所述像素結構包括

柵極，形成于基板上；

柵極絕緣層，覆蓋柵極；

柵極非晶硅區，形成于柵極絕緣層上且對應地位于柵極上方；

源極金屬區和漏極金屬區，形成于柵極非晶硅區上；

有機物保護層，形成于柵極絕緣層上并覆蓋源極金屬區和漏極金屬區，且該有機物保護層包括介層洞和復數個突起，該介層洞暴露漏極金屬區的部分表面；和

導電層，形成于有機物保護層上并覆蓋介層洞，以及在所述突起之間形成狹縫。

2.根據權利要求1所述的垂直配向式像素結構，其特征在于：所述源極金屬區、漏極金屬區與柵極非晶硅區之間進一步包含摻雜柵極非晶硅區。

3.根據權利要求1所述的垂直配向式像素結構，其特征在于：所述柵極非晶硅區的面積大于位于下方的柵極的面積。

4.根據權利要求1所述的垂直配向式像素結構，其特征在于：所述有機物保護層的有機物質為酚醛樹脂。

5.根據權利要求1所述的垂直配向式像素結構，其特征在于：所述導電層為氧化銦錫層。

6.一種垂直配向式像素結構的制造方法，其特征在于：所述像素結構的制造方法包括：

形成柵極于基板上；

形成柵極絕緣層以覆蓋柵極；

形成柵極非晶硅區于柵極絕緣層上且對應地位于柵極上方；

形成源極金屬區、漏極金屬區于柵極絕緣層的上方；

形成有機物保護層于柵極絕緣層上并覆蓋源極金屬區、漏極金屬區；

形成介層洞和復數個突起于有機物保護層處，該介層洞暴露漏極金屬區的部分表面；和

形成導電層于有機物保護層上并覆蓋介層洞，以及在有機保護層的突起之間形成狹縫。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成柵極的步驟包括：

形成第一金屬層于基板上；和

圖案化第一金屬層以形成柵極。

8.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成柵極非晶硅區的步驟包括：

形成非晶硅層于柵極絕緣層上；

形成摻雜非晶硅層于非晶硅層上；及

圖案化摻雜非晶硅層和非晶硅層，以形成摻雜非晶硅區和柵極非晶硅區。

9.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成源極金屬區、漏極金屬區的步驟包括：

形成第二金屬層于柵極絕緣層的上方；及

圖案化第二金屬層，以形成源極金屬區和漏極金屬區；

其中，源極金屬區和漏極金屬區之間具有通道。

10.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成有機物保護層的步驟包括：

形成有機物保護層于柵極絕緣層上；及

圖案化有機物保護層，以形成復數個突起，形成平整的有機物保護層覆蓋源極金屬區、漏極金屬區及源極金屬區和漏極金屬區之間的通道，形成介層洞以暴露漏極金屬區的部分表面；

所述形成導電層的步驟包括：

形成導電層于有機物保護層上并覆蓋介層洞；以及

在有機物保護層的突起之間形成狹縫。