[發(fā)明專利]垂直配向式像素結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910004546.3
• 申請日: 2009-03-05
• 公開（公告）號: CN101826530A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藍(lán)志杰
• 申請（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336;G02F1/1362
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種垂直配向式像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是關(guān)于一種可降低光漏電流的垂直配向式像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)今社會多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達(dá)，多半受惠于半導(dǎo)體元件與顯示裝置的進(jìn)步。就顯示器而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場的主流。為了讓液晶顯示器有更好的顯示品質(zhì)，目前液晶顯示器皆朝向高對比、無灰階反轉(zhuǎn)、色偏小、亮度高、高色飽和度、快速反應(yīng)與廣視角等特性來發(fā)展。以廣視角技術(shù)而言，常見的例如有共平面切換式液晶顯示器、扭轉(zhuǎn)向列型液晶顯示器、邊際場切換式液晶顯示器與多域垂直配向式液晶顯示器等。

圖1是習(xí)知的多域垂直配向式像素結(jié)構(gòu)的示意圖。該像素結(jié)構(gòu)包括基板11、柵極12、柵極絕緣層13、柵極非晶硅區(qū)14、摻雜非晶硅區(qū)15、源極金屬區(qū)16、漏極金屬區(qū)17、保護(hù)層18和導(dǎo)電層19。從圖上可知，像素顯示區(qū)有狹縫20和復(fù)數(shù)個突起，其中突起是以非晶硅14為基底形成的，為了使突起具有一定的高度，則非晶硅層14的厚度不可太薄，大約為0.2um至0.3um。眾所周知，在液晶像素結(jié)構(gòu)中非晶硅層是一種光敏物質(zhì)，在照光后會產(chǎn)生光漏電流，由于在垂直配向式像素結(jié)構(gòu)中突起需要一定的高度，因此會相應(yīng)地導(dǎo)致薄膜晶體管中柵極非晶硅區(qū)14的厚度增加，容易造成薄膜晶體管產(chǎn)生光漏電流，進(jìn)而對像素的電性造成不良的影響。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種垂直配向式像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，以降低薄膜晶體管產(chǎn)生的光漏電流。

根據(jù)本發(fā)明的目的，提供一種垂直配向式像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括：

柵極，形成于基板上；

柵極絕緣層，覆蓋柵極；

柵極非晶硅區(qū)，形成于柵極絕緣層上且對應(yīng)地位于柵極上方；

源極金屬區(qū)和漏極金屬區(qū)，形成于柵極非晶硅區(qū)上；

有機(jī)物保護(hù)層，形成于柵極絕緣層上并覆蓋源極金屬區(qū)和漏極金屬區(qū)，且該有機(jī)物保護(hù)層包括介層洞和復(fù)數(shù)個突起，該介層洞暴露漏極金屬區(qū)的部分表面；和

導(dǎo)電層，形成于有機(jī)物保護(hù)層上并覆蓋介層洞，以及在有機(jī)物的突起之間形成狹縫。

所述源極金屬區(qū)、漏極金屬區(qū)與柵極非晶硅區(qū)之間進(jìn)一步包含摻雜柵極非晶硅區(qū)。

所述柵極非晶硅區(qū)的面積大于位于下方的柵極的面積。

所述有機(jī)物保護(hù)層的有機(jī)物質(zhì)為酚醛樹脂。

所述導(dǎo)電層為氧化銦錫層。

根據(jù)本發(fā)明的目的，提供一種垂直配向式像素結(jié)構(gòu)的制造方法，所述像素結(jié)構(gòu)的制造方法包括：

形成柵極于基板上；

形成柵極絕緣層以覆蓋柵極；

形成柵極非晶硅區(qū)于柵極絕緣層上且對應(yīng)地位于柵極上方；

形成源極金屬區(qū)、漏極金屬區(qū)于柵極絕緣層的上方；

形成有機(jī)物保護(hù)層于柵極絕緣層上并覆蓋源極金屬區(qū)、漏極金屬區(qū)；

形成介層洞和復(fù)數(shù)個突起于有機(jī)物保護(hù)層處，該介層洞暴露漏極金屬區(qū)的部分表面；和

形成導(dǎo)電層于有機(jī)物保護(hù)層上并覆蓋介層洞，以及在有機(jī)物保護(hù)層的突起之間形成狹縫。

所述形成該柵極的步驟包括：形成第一金屬層于基板上；和

圖案化第一金屬層以形成柵極。

所述形成柵極非晶硅區(qū)的步驟包括：形成非晶硅層于柵極絕緣層上；

形成摻雜非晶硅層于非晶硅層上；及

圖案化摻雜非晶硅層和非晶硅層，以形成摻雜非晶硅區(qū)和柵極非晶硅區(qū)。

所述形成源極金屬區(qū)、漏極金屬區(qū)的步驟包括：

形成第二金屬層于柵極絕緣層的上方；及

圖案化第二金屬層，以形成源極金屬區(qū)、漏極金屬區(qū)；

其中，源極金屬區(qū)和漏極金屬區(qū)之間具有通道。

所述形成有機(jī)物保護(hù)層的步驟包括：形成有機(jī)物保護(hù)層于柵極絕緣層上；及

圖案化有機(jī)物保護(hù)層，以形成復(fù)數(shù)個突起，形成平整的有機(jī)物保護(hù)層覆蓋源極金屬區(qū)、漏極金屬區(qū)及源極金屬區(qū)和漏極金屬區(qū)之間的通道，形成介層洞以暴露漏極金屬區(qū)的部分表面。

所述形成導(dǎo)電層的步驟包括：

形成導(dǎo)電層于有機(jī)物保護(hù)層上并覆蓋介層洞；以及

在有機(jī)物保護(hù)層的突起之間形成狹縫。

附圖說明

圖1是習(xí)知的多域垂直配向式像素結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2A--2E是本發(fā)明的垂直配向式像素結(jié)構(gòu)制程步驟的示意圖。

具體實施方式

請參照圖2A--2E，圖2A--2E是本發(fā)明的垂直配向式像素結(jié)構(gòu)制程步驟的示意圖。

如圖2A所示，首先，提供基板21，并在基板21上形成第一金屬層，接著，圖案化第一金屬層以形成柵極22。