[發明專利]半導體芯片及具有該半導體芯片的疊層半導體封裝

無效

• 申請號: 200910003379.0
• 申請日: 2009-01-22
• 公開（公告）號: CN101494207A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發明（設計）人: 金圣敏;樸昌濬;韓權煥;金圣哲;李荷娜
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L25/00;H01L25/065;H01L23/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張 波

技術領域

本發明涉及一種半導體芯片及具有該半導體芯片的疊層半導體封裝，更具體地涉及一種具有芯片選擇結構(chip?selecting?structure)的半導體芯片以及具有該半導體芯片的疊層半導體封裝(stacked?semiconductor?package)。?

背景技術

近來對于半導體制造技術的發展，已經導致具有適于在較短時間內處理更多數據的半導體裝置的各種類型的半導體封裝。?

這些發展之一是疊層半導體封裝，在該疊層半導體封裝中半導體芯片被堆疊并彼此連接。該疊層半導體封裝可以提高數據存儲能力和數據處理速度。?

為了實現此疊層半導體封裝，控制信號、數據信號、電源信號以及地址信號施加到多個疊層半導體芯片之中的特定半導體芯片。然而，由于不同的圖案或通孔必須形成在疊層半導體封裝的各個半導體芯片的不同位置，以選擇多個疊層半導體芯片的相應的特定半導體芯片，困難隨之產生。?

發明內容

本發明的實施例涉及一種具有適于疊層半導體封裝的芯片選擇結構的半導體芯片。?

此外，本發明的實施例涉及一種包括該半導體芯片的半導體封裝。?

在一個實施例中，具有半導體芯片體(semiconductor?chip?body)的半導體芯片包括芯片選擇結構，該芯片選擇結構具有：芯片選擇焊墊(chipselection?pad)，設置在半導體芯片體上；主貫通電極(main?through?electrode)，與芯片選擇焊墊電連接；以及次貫通電極(sub?through?electrode)，插設在主貫通電極與芯片選擇焊墊之間。?

芯片選擇焊墊、次貫通電極以及主貫通電極設置在一直線上。?

芯片選擇焊墊設置為鄰近半導體芯片體的邊緣，芯片選擇焊墊、次貫通電極以及主貫通電極對齊(align)在垂直于半導體芯片體的邊緣的方向上。

該半導體芯片還可以包括設置在主貫通電極和次貫通電極的端部(end)的連接構件。?

芯片選擇焊墊和主貫通電極通過設置于半導體芯片體上的芯片選擇重分布構件(chip?selection?redistribution)而彼此電連接。?

可選地，主貫通電極可以貫穿(pass?through)芯片選擇焊墊。?

該半導體芯片還可以包括：數據焊墊結構，沿半導體芯片體的邊緣設置并具有數據焊墊；第一數據貫通電極，與數據焊墊電連接；以及第二數據貫通電極，電連接到第一數據貫通電極。?

第一數據貫通電極可以貫穿數據焊墊。?

數據焊墊結構可以平行于芯片選擇結構設置。?

主貫通電極與次貫通電極之間的距離跟第一數據貫通電極與第二數據貫通電極之間的距離基本相同。?

該半導體芯片還可以包括多個設置于第一數據貫通電極和第二數據貫通電極的端部的連接構件。?

數據焊墊、第一數據貫通電極以及第二數據貫通電極通過設置于半導體芯片體上的數據重分布構件而電連接。?

在另一實施例中，具有半導體芯片體的半導體芯片包括第一芯片選擇結構和第二芯片選擇結構，其中第一芯片選擇結構具有：第一芯片選擇焊墊，設置在半導體芯片體上；第一主貫通電極，電連接到第一芯片選擇焊墊；第一次貫通電極，插設在第一主貫通電極與第一芯片選擇焊墊之間；以及第二次貫通電極，設置在第一主貫通電極的與第一次貫通電極相反的一側。所述第二芯片選擇結構具有：第三次貫通電極和第四次貫通電極，鄰近半導體芯片體上的第一芯片選擇焊墊設置；第二主貫通電極和第三主貫通電極，設置在第三次貫通電極和第四次貫通電極的與第一芯片選擇結構相反的一側；以及第二芯片選擇焊墊，設置在第二主貫通電極和第三主貫通電極的外面并且電連接到第二主貫通電極和第三主貫通電極。?

第一主貫通電極與第一次貫通電極之間的距離和第一主貫通電極與第二次貫通電極之間的距離跟第二主貫通電極與第三主貫通電極、第二主貫通電極與第四次貫通電極以及第三次貫通電極與第四次貫通電極之間的距離基本相同。?

第一芯片選擇結構和第二芯片選擇結構可以彼此平行地設置。?

可選地，第一芯片選擇結構和第二芯片選擇結構相對于半導體芯片體的邊緣串行地(serially)設置。?

該半導體芯片還可以包括用于將第一芯片選擇焊墊電連接到第一主貫通電極的第一芯片選擇重分布構件。?