[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片及具有該半導(dǎo)體芯片的疊層半導(dǎo)體封裝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910003379.0
• 申請日: 2009-01-22
• 公開（公告）號(hào): CN101494207A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金圣敏;樸昌濬;韓權(quán)煥;金圣哲;李荷娜
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/482
• 分類號(hào): H01L23/482;H01L25/00;H01L25/065;H01L23/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張 波

1.一種具有半導(dǎo)體芯片體的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括：

芯片選擇結(jié)構(gòu)，包括：

芯片選擇焊墊，設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片體上；

主貫通電極，電連接到所述芯片選擇焊墊；

次貫通電極，設(shè)置在所述主貫通電極與所述芯片選擇焊墊之間且從 所述芯片選擇焊墊電斷開；以及

設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片體上的芯片選擇重分布構(gòu)件，使得所述芯片 選擇焊墊和所述主貫通電極彼此電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中當(dāng)從所述半導(dǎo)體芯片的上方 看時(shí)，所述芯片選擇焊墊、所述次貫通電極以及所述主貫通電極設(shè)置在一直 線上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述芯片選擇焊墊設(shè)置為鄰 近所述半導(dǎo)體芯片體的邊緣，所述芯片選擇焊墊、所述次貫通電極以及所述 主貫通電極對齊在基本垂直于所述邊緣的方向上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，還包括設(shè)置在所述主貫通電極的 端部和所述次貫通電極的端部的連接構(gòu)件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，還包括：

數(shù)據(jù)焊墊結(jié)構(gòu)，沿所述半導(dǎo)體芯片體的邊緣設(shè)置，所述數(shù)據(jù)焊墊結(jié)構(gòu)包 括：

數(shù)據(jù)焊墊；

第一數(shù)據(jù)貫通電極，電連接到所述數(shù)據(jù)焊墊；以及

第二數(shù)據(jù)貫通電極，電連接到所述第一數(shù)據(jù)貫通電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述第一數(shù)據(jù)貫通電極貫穿 所述數(shù)據(jù)焊墊。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述數(shù)據(jù)焊墊結(jié)構(gòu)平行于所 述芯片選擇結(jié)構(gòu)設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片，其中：

所述數(shù)據(jù)焊墊、所述第一數(shù)據(jù)貫通電極和第二數(shù)據(jù)貫通電極對齊在基本 垂直于所述邊緣的方向上；

所述芯片選擇焊墊、所述次貫通電極和所述主貫通電極對齊在基本垂直 于所述邊緣的方向上；以及

所述主貫通電極與所述次貫通電極之間的距離跟所述第一數(shù)據(jù)貫通電 極與所述第二數(shù)據(jù)貫通電極之間的距離基本相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片，還包括連接構(gòu)件，該連接構(gòu)件設(shè) 置在所述第一數(shù)據(jù)貫通電極的端部和所述第二數(shù)據(jù)貫通電極的端部。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述數(shù)據(jù)焊墊、所述第一 數(shù)據(jù)貫通電極以及第二數(shù)據(jù)貫通電極通過設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片體上的數(shù) 據(jù)重分布構(gòu)件而彼此電連接。

11.一種具有半導(dǎo)體芯片體的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括：

第一芯片選擇結(jié)構(gòu)，包括：

第一芯片選擇焊墊，設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片體上；

第一主貫通電極，電連接到所述第一芯片選擇焊墊；

第一次貫通電極，插設(shè)在所述第一主貫通電極與所述第一芯片選擇 焊墊之間；與

第二次貫通電極，設(shè)置在所述第一主貫通電極的與所述第一次貫通 電極相反的一側(cè)；以及

第二芯片選擇結(jié)構(gòu)，包括：

第三次貫通電極和第四次貫通電極，鄰近所述第一芯片選擇焊墊設(shè)置；

第二主貫通電極和第三主貫通電極，設(shè)置在所述第三次貫通電極和所 述第四次貫通電極的與第一芯片選擇結(jié)構(gòu)相反的一側(cè)；以及

第二芯片選擇焊墊，設(shè)置在所述第二主貫通電極和所述第三主貫通電 極的與所述第三次貫通電極和所述第四次貫通電極相反的一側(cè)，并且電連接 到所述第二主貫通電極和所述第三主貫通電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述第一主貫通電極與所 述第一次貫通電極之間的距離以及所述第一主貫通電極與所述第二次貫通 電極之間的距離，跟所述第二主貫通電極與所述第三主貫通電極之間的距 離、所述第二主貫通電極與所述第四次貫通電極之間的距離以及所述第三次 貫通電極與所述第四次貫通電極之間的距離基本相同。