[發明專利]顯示器件以及制造方法無效
| 申請號: | 200910003202.0 | 申請日: | 2006-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN101488519A | 公開(公告)日: | 2009-07-22 |
| 發明(設計)人: | 李東遠;李政洙;鄭鎮九;洪尚美;王建浦 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/15;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 張 波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 器件 以及 制造 方法 | ||
本申請是2006年6月26日提交的題為“顯示器件以及制造方法”,申請號為200610090083.3的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及顯示器件及其制造方法,更特別地,涉及其中隔墻層(partition?wall?layer)包括在像素電極之間的顯示器件。
背景技術
近來,有機發光二極管(OLED)器件由于其功率需求低、重量輕、薄外形、寬視角、高速響應等已在平板顯示器行業引起了關注和興趣。OLED分為無源或有源矩陣型。無源矩陣型可以通過簡化的制造工藝制造,但功耗隨顯示面積和分辨率的增大而迅速增大。因此,無源矩陣型主要應用于小尺寸顯示器。相反,雖然涉及復雜的制造工藝,但有源矩陣型可以應用于大面積屏幕且高分辨率的器件。
在有源矩陣OLED中,薄膜晶體管連接到每個像素區,且針對每個單獨的像素區控制發光層的光發射。在每個像素區中設置像素電極。每個像素電極與其相鄰的像素電極電隔離從而被單獨驅動。另外,隔墻形成在相鄰像素區之間,具有比像素區的高度大的高度。隔墻用于防止像素電極之間的短路并將每個像素區隔離。通常,該隔墻沿像素電極的外圍以矩形形成。
墨(ink)通過噴墨(inkjet)噴射在具有隔墻位于其間的像素電極上。由于流體的表面張力,墨趨于保持球形。由于該現象,墨不能準確地滴入矩形隔墻的角部區域中。墨的不均勻涂覆導致有缺陷的像素和像素電極與公共電極之間的短路,從而導致圖像信號不能正確傳輸的問題。另外,如果在隔墻上滴不同顏色的墨并混合,顏色混合(color-mixing)會發生在像素之間。
發明內容
因此,本發明的一個方面是提供一種顯示器件及其制造方法,其中以均勻方式形成發光層,其防止像素之間的顏色混合并克服了像素電極角部中墨不均勻涂覆的問題。該顯示器件包括:多個薄膜晶體管;形成在該薄膜晶體管上的保護膜;多個像素電極,形成在該保護膜上并與該薄膜晶體管電連接;隔墻層,將彼此相鄰的該像素電極隔離,包括暴露像素電極的主暴露部分和從該主暴露部分伸出并延伸的子暴露部分,該子暴露部分具有形成在其至少部分邊緣區域中的臺階部分;以及形成在其間設置有臺階部分的像素電極上從而發射相同顏色的發光層。根據本發明的另一方面,隔墻層具有凹陷部分,形成在與凹陷部分相鄰的像素電極上的發光層發射彼此不同的顏色。
本發明的前述和其他方面可以通過提供一種制造顯示器的方法來實現,該方法包括:在襯底上形成多個薄膜晶體管和保護膜;在保護膜上形成多個像素電極以與薄膜晶體管電連接;形成將彼此相鄰的像素電極隔開的隔墻層,該隔墻層具有暴露像素電極的主暴露部分和從主暴露部分伸出并延伸的子暴露部分;以及在像素電極上形成發光層。形成子暴露部分使得其面積約為主暴露部分的面積的5~15%且設置有形成在至少隔墻層的部分邊緣中的臺階部分。發光層朝向臺階部分印刷且利用噴墨形成。根據本發明的一個方面,該方法還包括在發光層上形成公共電極;具有其至少一個角伸出并延伸的暴露區域的隔墻層具有平面外形且被彎曲。
附圖說明
結合附圖,通過示例性實施例的以下描述,本發明的上述和/或其他方面和優點將變得明顯且更容易理解,附圖中:
圖1示意性示出根據本發明第一實施例的顯示器件;
圖2是沿圖1中的線II-II截取的剖視圖;
圖3是沿圖1中的線III-III截取的剖視圖;
圖4示出根據本發明第二實施例的顯示器件中的像素區;
圖5示出根據本發明第三實施例的顯示器件中的像素區;
圖6示意性示出根據本發明第四實施例的顯示器件;
圖7是沿圖6中的線VII-VII截取的剖視圖;以及
圖8A至8D是說明根據本發明第四實施例的顯示器件的制造方法的剖視圖。
具體實施方式
現在將詳細參考本發明的實施例,其例子示于附圖中,附圖中相似的附圖標記始終表示相似的元件。
參照圖1至3,將說明本發明的第一實施例。圖1示意性示出根據本發明第一實施例的顯示器件。圖2是沿圖1中的線II-II截取的剖視圖,圖3是沿圖1中的線III-III截取的剖視圖。如圖1至3所示,本實施例的顯示器件1包括多個薄膜晶體管20、覆蓋薄膜晶體管20的保護膜28、形成在保護膜28上且通過接觸孔27與薄膜晶體管20電連接的像素電極30、設置在像素電極30之間并隔開像素電極30的隔墻層40、形成在隔墻層之間暴露區域中的發光層50、以及形成在發光層50上的公共電極60。公共電極60可用作陰極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





