[發(fā)明專利]顯示器件以及制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910003202.0 | 申請日: | 2006-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN101488519A | 公開(公告)日: | 2009-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李東遠(yuǎn);李政洙;鄭鎮(zhèn)九;洪尚美;王建浦 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/15;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 張 波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 器件 以及 制造 方法 | ||
1.一種顯示器件,包括:
多個薄膜晶體管;
形成在該薄膜晶體管上的保護(hù)膜;
形成在該保護(hù)膜上并與該薄膜晶體管電連接的多個像素電極;
隔開彼此相鄰的該像素電極的隔墻層,該隔墻層具有形成在其至少一部分中的凹陷部分;以及
形成在該像素電極上的發(fā)光層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件,其中在與該凹陷部分相鄰的該像素電極上形成該發(fā)光層以發(fā)射彼此不同的顏色。
3.一種制造顯示器件的方法,該方法包括:
在襯底上形成多個薄膜晶體管和保護(hù)膜;
在該保護(hù)膜上形成多個像素電極從而與該薄膜晶體管電連接;
形成將彼此相鄰的該像素電極隔開的隔墻層,該隔墻層具有暴露該像素電極的主開口部分和從該主開口部分伸出并延伸的子開口部分;以及
在該像素電極上形成發(fā)光層,
其中當(dāng)形成該隔墻層時(shí),在該隔墻層的至少一部分中形成凹陷部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法,其中形成該子開口部分使得其面積約為該主開口部分的面積的5~15%。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的方法,其中當(dāng)形成該隔墻層時(shí),該子開口部分設(shè)置有臺階部分,該臺階部分形成在該隔墻層的至少一部分邊緣中。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的方法,其中當(dāng)形成該隔墻層時(shí),在該隔墻層的任何一個邊緣中形成臺階部分,且當(dāng)形成該發(fā)光層時(shí),朝向該臺階部分印刷發(fā)射相同顏色的該發(fā)光層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的方法,其中使用噴墨法形成該發(fā)光層。
8.根據(jù)權(quán)利要求3的方法,還包括在該發(fā)光層上形成公共電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求3的方法,其中所述凹陷部分通過使用狹縫掩模的光刻步驟制成。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
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- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
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