[發明專利]具有提高電子遷移率的量子阱的顯示基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 200910002122.3
• 申請日: 2009-01-15
• 公開（公告）號: CN101487961A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 尹甲洙;梁成勛;金成烈;吳和烈;崔在鎬;崔龍模
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/017;H01L27/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 劉曉峰

本申請要求2008年1月15日提交給韓國知識產權局的韓國專利申請 10-2008-0004464的優先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用結合在 此。

技術領域

本發明涉及一種顯示基板和包含該顯示基板的顯示裝置。更具體地， 本發明涉及具有提高電子遷移率的量子阱的顯示基板，以及包含這種顯示 基板的顯示裝置。

背景技術

人們一直在持續努力通過增加顯示尺寸和質量來改進顯示裝置。尤其 是，一直在努力改善通常被用于驅動液晶顯示器(LCD)的薄膜晶體管(TFT) 的電特性。

常規TFT通常使用溝道結構，該溝道結構是借助于氫化非晶硅(a-Si:H) 圖案形成的。包含這種氫化非晶硅的常規TFT具有較低的電子遷移率，并 且具有由它們的電特性劣化引起的操作可靠性問題。因此，人們一直在持 續努力改進TFT，以提高顯示裝置的質量和性能。

發明內容

本發明的各個方面提供一種顯示基板，所述顯示基板包括具有優良的 操作特性的薄膜晶體管(TFT)。

本發明的各個方面還提供顯示質量得到提高的顯示裝置。

然而，本發明的各個方面并不限于本文中描述的這些。對于本發明所 屬領域的普通技術人員，通過參考下面給出的本發明的詳細描述，本發明 的上述和其它方面將變得更加明顯。

根據本發明的一個方面，提供一種顯示基板，該顯示基板包括：柵極 布線；第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極布線上并且 具有第一能帶隙；第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一 半導體圖案上并且具有第二能帶隙，所述第二能帶隙大于所述第一能帶 隙；數據布線，所述數據布線形成在所述第一半導體圖案上；以及像素電 極，所述像素電極與所述數據布線電連接。

根據本發明的另一方面，提供一種包括薄膜晶體管的顯示基板，所述 薄膜晶體管包括：柵極電極；第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成 在所述柵極電極上，并且包含非晶硅；第二半導體圖案，所述第二半導體 圖案形成在所述第一半導體圖案上并且包含氧化物；源極電極，所述源極 電極形成在所述第二半導體圖案上；以及漏極電極，所述漏極電極形成在 所述第二半導體圖案上而與所述源極電極分開。

根據本發明的另一方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：第 一顯示基板；第二顯示基板，所述第二顯示基板面對所述第一顯示基板； 以及液晶層，所述液晶層置于所述第一顯示基板和所述第二顯示基板之 間，其中所述第一顯示基板包括：柵極布線；第一半導體圖案，所述第一 半導體圖案形成在所述柵極布線上并且具有第一能帶隙；第二半導體圖 案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖案上并且具有第二能帶 隙，所述第二能帶隙大于所述第一能帶隙；數據布線，所述數據布線形成 在所述第一半導體圖案上；以及像素電極，所述像素電極與所述數據布線 電連接。

附圖說明

通過參考下列附圖，詳細地描述本發明的示例性實施方案，本發明的 上述和其它方面以及特征將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是根據本發明的一個實施方案的顯示基板的布置圖；

圖2是沿圖1的線II-II’截取的顯示裝置的橫截面圖；

圖3A是用于說明圖2所示的薄膜晶體管(TFT)的操作的能帶圖；

圖3B是圖2的部分A的放大圖；

圖4至6是顯示圖2的TFT的特性的圖；

圖7是根據本發明的另一個示例性實施方案的第一顯示基板的橫截面 圖；

圖8是根據本發明的另一個示例性實施方案的顯示基板的橫截面圖； 以及

圖9是根據本發明的另一個示例性實施方案的顯示基板的橫截面圖。

具體實施方式

通過參考下面的示例性實施方案和附圖的詳細描述，可以更容易地理 解本發明的優點和特征以及實現本發明的方法。然而，本發明可以以很多 不同的形式具體化，并且不應當將本發明解釋為限于本文描述的實施方 案。而是，提供這些實施方案使得本公開是詳盡和完整的，并且這些實施 方案將本發明的構思充分傳達給本領域技術人員。因此，本發明只是受后 附權利要求的限定。在一些實施方案中，為了避免本發明的含糊說明，熟 知的加工方法、熟知的結構和熟知的技術將不具體描述。在整個說明書中， 相同標記指相同的元件。