[發明專利]具有提高電子遷移率的量子阱的顯示基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 200910002122.3
• 申請日: 2009-01-15
• 公開（公告）號: CN101487961A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 尹甲洙;梁成勛;金成烈;吳和烈;崔在鎬;崔龍模
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/017;H01L27/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 劉曉峰

1.一種顯示基板，所述顯示基板包括：

柵極布線；

第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極布線上并且具 有第一能帶隙，其中所述第一半導體圖案包含非晶硅；

第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖案上 并且具有第二能帶隙，所述第二能帶隙大于所述第一能帶隙，其中所述第 二半導體圖案包含氧化物；

數據布線，所述數據布線形成在所述第一半導體圖案上；以及

像素電極，所述像素電極與所述數據布線電連接；

其中在所述第一半導體圖案中形成量子阱。

2.權利要求1所述的顯示基板，其中所述第二半導體圖案被設置在所 述數據布線下面，并且與所述數據布線形成歐姆接觸。

3.權利要求1所述的顯示基板，其中所述第二半導體圖案包含O，以 及Ga、In、Zn、Sn、C0、Ti和Mg中的至少一種。

4.權利要求1所述的顯示基板，還包括第三半導體圖案，所述第三半 導體圖案形成在所述柵極布線和所述第一半導體圖案之問，并且具有第三 能帶隙，所述第三能帶隙大于所述第一能帶隙。

5.權利要求1所述的顯示基板，還包括柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜 形成在所述柵極布線和所述第一半導體圖案之問。

6.權利要求1所述的顯示基板，還包括歐姆接觸層，所述歐姆接觸層 被設置在所述第一半導體圖案上，并且與所述數據布線形成歐姆接觸。

7.權利要求1所述的顯示基板，其中所述第一半導體圖案的厚度為 以下。

8.一種包括薄膜晶體管的顯示基板，所述薄膜晶體管包括：

柵極電極；

第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極電極上，并且 包含非晶硅；

第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖案上 并且包含氧化物；

源極電極，所述源極電極形成在所述第二半導體圖案上；以及

漏極電極，所述漏極電極形成在所述第二半導體圖案上，并且與所述 源極電極分開；

其中在所述第一半導體圖案中形成量子阱。

9.權利要求8所述的顯示基板，其中所述第二半導體圖案與所述源極 電極和所述漏極電極中的每一個形成歐姆接觸。

10.權利要求8所述的顯示基板，其中所述第一半導體圖案具有第一 能帶隙，并且所述第二半導體圖案具有第二能帶隙，所述第二能帶隙大于 所述第一能帶隙。

11.權利要求8所述的顯示基板，還包括柵極絕緣膜，所述柵極絕緣 膜形成在所述柵極布線和所述第一半導體圖案之間。

12.權利要求8所述的顯示基板，其中所述第二半導體圖案包含O， 以及Ga、In、Zn、Sn、Co、Ti和Mg中的至少一種。

13.權利要求8所述的顯示基板，其中所述第一半導體圖案的厚度為 以下。

14.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

第一顯示基板；

第二顯示基板，所述第二顯示基板面對所述第一顯示基板；以及

液晶層，所述液晶層置于所述第一顯示基板和所述第二顯示基板之 間，

其中所述第一顯示基板包括：

柵極布線；

第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極布線上并 且具有第一能帶隙，其中所述第一半導體圖案包含非晶硅；

第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖 案上并且具有第二能帶隙，所述第二能帶隙大于所述第一能帶隙，其 中所述第二半導體圖案包含氧化物；

數據布線，所述數據布線形成在所述第一半導體圖案上；以及

像素電極，所述像素電極與所述數據布線電連接；

其中在所述第一半導體圖案中形成量子阱。